半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711337430.2

申请日：

2017-12-14

公开(公告)号：

CN108206180A

公开(公告)日：

2018-06-26

发明(设计)人：

梁正吉裵金钟裵东一宋升珉朴雨锡

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2910

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-26	公开	公开
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20171214

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

A.毛德 ;

U.瓦尔 .

中国专利 :CN203910785U ,2014-10-29

[2]

半导体器件 [P].

李洋熙 ;

朴钟爀 ;

尹一永 .

韩国专利 :CN118785706A ,2024-10-15

[3]

半导体器件 [P].

沈善一 ;

崔升旭 .

中国专利 :CN108231779B ,2018-06-29

[4]

半导体器件 [P].

申洪湜 ;

金东权 ;

李珍旭 ;

朴钟撤 ;

李元赫 .

中国专利 :CN114639735A ,2022-06-17

[5]

半导体器件和包括该半导体器件的集成装置 [P].

F.希尔勒 ;

U.瓦尔 .

中国专利 :CN203800054U ,2014-08-27

[6]

半导体器件及包括该半导体器件的集成装置 [P].

U.瓦尔 ;

A.维尔梅罗特 .

中国专利 :CN203800053U ,2014-08-27

[7]

包括异质结的半导体器件 [P].

埃里克·P.·A.·M.·巴可斯 ;

罗伯特斯·A.·M.·沃尔特斯 ;

约翰·H.·克罗特维吉克 .

中国专利 :CN1898784A ,2007-01-17

[8]

半导体器件 [P].

梁正吉 ;

金相秀 ;

金善昱 ;

裵金钟 ;

宋昇珉 ;

郑秀真 .

中国专利 :CN110828570A ,2020-02-21

[9]

半导体器件 [P].

安托尼·香西奥 ;

马克·D·格里斯沃尔德 ;

阿穆德哈·R·伊鲁达亚姆 ;

珍妮弗·H·莫里松 .

中国专利 :CN101160663B ,2008-04-09

[10]

半导体器件 [P].

金成洙 ;

金柱汉 ;

安圭焕 ;

金益秀 ;

白宗玟 .

中国专利 :CN114664825A ,2022-06-24

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