用于曝光的掩模版、曝光方法以及半导体晶片的生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210353422.8

申请日：

2012-09-21

公开(公告)号：

CN103019039A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

清水宏信

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F156 H01L21027

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

曲宝壮;李浩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2015-04-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101713317821 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2012103534228 申请公布日:20130403
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448950093 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2012103534228 申请日:20120921

共 50 条

[1]

曝光掩模以及利用曝光掩模的半导体制造方法 [P].

马原光 ;

严泰胜 .

中国专利 :CN101614952A ,2009-12-30

[2]

曝光装置、曝光方法、以及用于制造半导体装置的方法 [P].

高桥和弘 .

中国专利 :CN114114847A ,2022-03-01

[3]

用于半导体晶片的双面对线曝光装置 [P].

葛宜威 ;

裘立强 ;

王毅 .

中国专利 :CN203324648U ,2013-12-04

[4]

半导体转接板曝光方法以及曝光设备 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109782542A ,2019-05-21

[5]

无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法 [P].

李相珉 ;

朴相玄 ;

朱愿暾 .

中国专利 :CN109856924A ,2019-06-07

[6]

曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法 [P].

宋柱京 ;

尹炯舜 .

中国专利 :CN101750879B ,2010-06-23

[7]

曝光装置、曝光方法以及半导体装置的制造方法 [P].

水田吉郎 .

日本专利 :CN118226711A ,2024-06-21

[8]

曝光掩模以及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

大沼英人 ;

永井雅晴 .

中国专利 :CN1912739A ,2007-02-14

[9]

用于生产半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

M·克斯坦 .

中国专利 :CN102169821A ,2011-08-31

[10]

半导体曝光方法与操作半导体曝光装置的方法 [P].

林思闽 ;

李修申 .

中国专利 :CN101025580A ,2007-08-29

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