用于半导体晶片的双面对线曝光装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320398334.X

申请日：

2013-07-04

公开(公告)号：

CN203324648U

公开(公告)日：

2013-12-04

发明(设计)人：

葛宜威裘立强王毅

申请人：

申请人地址：

225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F900 G03F142

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

周全

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-26	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101719595349 IPC(主分类):G03F 7/20 专利号:ZL201320398334X 申请日:20130704 授权公告日:20131204 放弃生效日:20150826
2013-12-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于半导体晶片的双面对线曝光装置 [P].

葛宜威 ;

裘立强 ;

王毅 .

中国专利 :CN103309178B ,2013-09-18

[2]

双面半导体晶片 [P].

石蕾 ;

张聪 ;

邱进添 .

美国专利 :CN119343995A ,2025-01-21

[3]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205520A ,2011-10-05

[4]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102990505A ,2013-03-27

[5]

半导体晶片的同时双面磨削 [P].

J·容格 ;

R·魏斯 .

中国专利 :CN101417405B ,2009-04-29

[6]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN104476384B ,2015-04-01

[7]

半导体晶片的双面抛光方法 [P].

久保田真美 ;

福原史也 ;

三浦友纪 .

中国专利 :CN110235225B ,2019-09-13

[8]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927447A ,2010-12-29

[9]

用于半导体晶片的转序装置 [P].

夏继良 ;

崔秀君 ;

王清玉 ;

王杨 .

中国专利 :CN220367899U ,2024-01-19

[10]

用于处理半导体晶片的半导体处理设备 [P].

J·H·张 .

中国专利 :CN203503622U ,2014-03-26

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