集成电路融和MEMS传感器制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510082377.0

申请日：

2015-02-15

公开(公告)号：

CN105984830A

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

田晓丹

申请人：

申请人地址：

102206 北京市昌平区华北电力大学C座1008室

IPC主分类号：

B81B700

IPC分类号：

B81B702 B81C100 B81C300 G01C2500

代理机构：

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人：

王新生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686679997 IPC(主分类):B81B 7/00 专利申请号:2015100823770 申请日:20150215
2019-03-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B81B 7/00 申请公布日:20161005
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

集成电路、图像传感器的集成电路及其制造方法 [P].

许文义 ;

洪丰基 ;

杨敦年 ;

周耕宇 .

中国专利 :CN106876420A ,2017-06-20

[2]

集成电路传感器封装及其制造方法 [P].

伊格纳修斯·约瑟夫斯·范多梅伦 .

中国专利 :CN110023721A ,2019-07-16

[3]

磁阻传感器集成电路及其制造方法 [P].

朱忻 .

中国专利 :CN113759296A ,2021-12-07

[4]

集成电路和霍尔传感器集成电路 [P].

村田勉 .

中国专利 :CN208860942U ,2019-05-14

[5]

具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法 [P].

罗埃尔·达门 ;

罗伯特斯·沃特斯 ;

雷内·荣根 ;

尤里·波诺马廖夫 .

中国专利 :CN102646644B ,2012-08-22

[6]

具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法 [P].

马蒂亚斯·梅兹 .

中国专利 :CN102915993B ,2013-02-06

[7]

具有传感器的集成电路及制造这种集成电路的方法 [P].

罗埃尔·达门 ;

卡斯珀·于费尔曼斯 ;

约瑟夫斯·盖伦 ;

罗伯特斯·沃特斯 .

中国专利 :CN102800665B ,2012-11-28

[8]

具有传感器的集成电路以及制造这种集成电路的方法 [P].

罗埃尔·达门 ;

亨克·鲍尔曼 ;

科恩·塔克 .

中国专利 :CN103021970A ,2013-04-03

[9]

具有传感器的集成电路和制造方法 [P].

马蒂亚斯·梅兹 .

中国专利 :CN103512940A ,2014-01-15

[10]

制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路 [P].

赖建文 .

中国专利 :CN105675051A ,2016-06-15

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