集成电路传感器封装及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780072149.2

申请日：

2017-11-29

公开(公告)号：

CN110023721A

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

伊格纳修斯·约瑟夫斯·范多梅伦

申请人：

申请人地址：

荷兰奈梅亨市

IPC主分类号：

G01D1124

IPC分类号：

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204

代理人：

王达佐;王艳春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01D 11/24 申请日:20171129
2019-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

集成电路、图像传感器的集成电路及其制造方法 [P].

许文义 ;

洪丰基 ;

杨敦年 ;

周耕宇 .

中国专利 :CN106876420A ,2017-06-20

[2]

磁阻传感器集成电路及其制造方法 [P].

朱忻 .

中国专利 :CN113759296A ,2021-12-07

[3]

具有传感器的集成电路以及制造这种集成电路的方法 [P].

罗埃尔·达门 ;

亨克·鲍尔曼 ;

科恩·塔克 .

中国专利 :CN103021970A ,2013-04-03

[4]

集成电路融和MEMS传感器制造方法 [P].

田晓丹 .

中国专利 :CN105984830A ,2016-10-05

[5]

光电传感器阵列集成电路及其制造方法 [P].

王欣 ;

杨大江 ;

马四光 ;

毛杜立 ;

戴幸志 .

中国专利 :CN110047855B ,2019-07-23

[6]

集成电路封装和制造集成电路封装的方法 [P].

宋剑 ;

李军 ;

庞兴收 ;

韩明川 ;

姚晋钟 ;

徐雪松 .

中国专利 :CN115472577A ,2022-12-13

[7]

传感器封装及其制造方法 [P].

亨德里克·博曼 ;

罗埃尔·达门 ;

西恩拉德·科内利斯·塔克 .

中国专利 :CN104716115A ,2015-06-17

[8]

传感器封装及其制造方法 [P].

亨德里克·博曼 ;

罗埃尔·达门 ;

西恩拉德·科内利斯·塔克 .

中国专利 :CN110459520A ,2019-11-15

[9]

集成电路和霍尔传感器集成电路 [P].

村田勉 .

中国专利 :CN208860942U ,2019-05-14

[10]

具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法 [P].

罗埃尔·达门 ;

罗伯特斯·沃特斯 ;

雷内·荣根 ;

尤里·波诺马廖夫 .

中国专利 :CN102646644B ,2012-08-22

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