一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280001469.6

申请日：

2012-11-12

公开(公告)号：

CN104025269A

公开(公告)日：

2014-09-03

发明(设计)人：

刘自鸿余晓军魏鹏

申请人：

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山区高新南环路29号留学生创业大厦2005室

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29423 H01L29786

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

张全文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587261682 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012800014696 申请日:20121112
2017-09-08	授权	授权
2014-09-03	公开	公开
2020-11-03	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更事项:专利权人变更前:深圳市柔宇科技有限公司变更后:深圳市柔宇科技股份有限公司变更事项:地址变更前:518057 广东省深圳市南山区高新南环路29号留学生创业大厦2005室变更后:518057 广东省深圳市南山区高新南环路29号留学生创业大厦2005室

共 50 条

[1]

自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法 [P].

魏鹏 ;

余晓军 ;

刘自鸿 .

中国专利 :CN104040683B ,2014-09-10

[2]

金属氧化物薄膜晶体管 [P].

叶佳俊 ;

王裕霖 ;

蔡学宏 ;

王旨玄 .

中国专利 :CN103035734A ,2013-04-10

[3]

一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P].

张盛东 ;

李绍娟 ;

王漪 ;

孙雷 ;

关旭东 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN101488459A ,2009-07-22

[4]

一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件 [P].

姚应海 ;

成来军 ;

陆一兵 .

中国专利 :CN222233643U ,2024-12-24

[5]

一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

肖祥 ;

迟世鹏 .

中国专利 :CN103311128A ,2013-09-18

[6]

底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

董承远 ;

施俊斐 .

中国专利 :CN102157562A ,2011-08-17

[7]

一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件 [P].

张冬利 ;

冯雨涵 ;

王明湘 ;

王槐生 ;

吕楠楠 .

中国专利 :CN118866692B ,2024-12-20

[8]

一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件 [P].

张冬利 ;

冯雨涵 ;

王明湘 ;

王槐生 ;

吕楠楠 .

中国专利 :CN118866692A ,2024-10-29

[9]

一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

王海宏 ;

焦峰 .

中国专利 :CN103337522A ,2013-10-02

[10]

金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P].

李金明 .

中国专利 :CN106972063B ,2017-07-21

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