一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910077731.5

申请日：

2009-02-13

公开(公告)号：

CN101488459A

公开(公告)日：

2009-07-22

发明(设计)人：

张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦

申请人：

申请人地址：

518055广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北京大学校区

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21027 H01L2906

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

李稚婷

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101683652079 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2009100777315 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学深圳研究生院变更后权利人:京东方科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北京大学校区变更后权利人:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号登记生效日:20131210
2009-07-22	公开	公开
2010-09-22	授权	授权
2009-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

肖祥 ;

迟世鹏 .

中国专利 :CN103311128A ,2013-09-18

[2]

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法 [P].

张盛东 ;

贺鑫 ;

林鑫 ;

姜蓓蓓 ;

李绍娟 .

中国专利 :CN102800705B ,2012-11-28

[3]

一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

肖祥 ;

迟世鹏 ;

冷传利 ;

邵阳 .

中国专利 :CN103346089B ,2013-10-09

[4]

一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法 [P].

张盛东 ;

邵阳 ;

肖祥 ;

贺鑫 .

中国专利 :CN104282576B ,2015-01-14

[5]

自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法 [P].

魏鹏 ;

余晓军 ;

刘自鸿 .

中国专利 :CN104040683B ,2014-09-10

[6]

一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

张盛东 ;

邵阳 ;

周晓梁 ;

张乐陶 ;

卢慧玲 .

中国专利 :CN106373998A ,2017-02-01

[7]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法 [P].

邹忠飞 .

中国专利 :CN104505372A ,2015-04-08

[8]

金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P].

李金明 .

中国专利 :CN106972063B ,2017-07-21

[9]

一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

李绍娟 ;

王漪 ;

孙雷 ;

关旭东 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN101478005B ,2009-07-08

[10]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

何佳新 .

中国专利 :CN107393932B ,2017-11-24

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