自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201280001858.9
申请日
2012-11-30
公开(公告)号
CN104040683B
公开(公告)日
2014-09-10
发明(设计)人
魏鹏 余晓军 刘自鸿
申请人
申请人地址
518057 广东省深圳市南山区高新南环路29号留学生创业大厦2005室
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
H01L27088
代理机构
深圳中一专利商标事务所 44237
代理人
张全文
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法 [P]. 
刘自鸿 ;
余晓军 ;
魏鹏 .
中国专利 :CN104025269A ,2014-09-03
[2]
一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P]. 
张盛东 ;
李绍娟 ;
王漪 ;
孙雷 ;
关旭东 ;
韩汝琦 .
中国专利 :CN101488459A ,2009-07-22
[3]
金属氧化物薄膜晶体管及显示面板 [P]. 
薛大鹏 ;
王利忠 ;
董水浪 ;
胡合合 ;
姚念琦 ;
袁广才 ;
宁策 ;
李正亮 ;
王东方 ;
雷利平 ;
许晨 ;
黄杰 .
中国专利 :CN117546302A ,2024-02-09
[4]
金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法 [P]. 
邹忠飞 .
中国专利 :CN104505372A ,2015-04-08
[5]
金属氧化物薄膜晶体管 [P]. 
叶佳俊 ;
王裕霖 ;
蔡学宏 ;
王旨玄 .
中国专利 :CN103035734A ,2013-04-10
[6]
一种金属氧化物薄膜晶体管驱动背板及其制备方法 [P]. 
徐苗 ;
彭俊彪 ;
王磊 ;
陶洪 ;
邹建华 .
中国专利 :CN106229329A ,2016-12-14
[7]
底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P]. 
董承远 ;
施俊斐 .
中国专利 :CN102157562A ,2011-08-17
[8]
一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 [P]. 
张盛东 ;
肖祥 ;
迟世鹏 .
中国专利 :CN103311128A ,2013-09-18
[9]
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
刘启晗 ;
赵春 ;
赵策洲 ;
杨莉 ;
王琦男 .
中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17
[10]
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
彭俊彪 ;
兰林锋 ;
徐苗 ;
徐瑞霞 ;
王磊 ;
许伟 .
中国专利 :CN101872787A ,2010-10-27