基体的保护方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680049097.9

申请日：

2006-12-07

公开(公告)号：

CN101346191A

公开(公告)日：

2009-01-14

发明(设计)人：

绪方四郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

B05D500

IPC分类号：

B32B702 B08B1702

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

杨宏军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101114496904 IPC(主分类):B05D 5/00 专利申请号:2006800490979 公开日:20090114
2009-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

基体的保护方法 [P].

绪方四郎 .

中国专利 :CN1950198B ,2007-04-18

[2]

基体的保护方法 [P].

绪方四郎 .

中国专利 :CN101489695A ,2009-07-22

[3]

基体的保护方法 [P].

绪方四郎 .

中国专利 :CN101378854A ,2009-03-04

[4]

保护基体表面贴花的方法 [P].

钱玉章 .

中国专利 :CN101077493A ,2007-11-28

[5]

半导体基体的处理方法 [P].

赵伟 .

中国专利 :CN118531361A ,2024-08-23

[6]

基体表面金属测试方法 [P].

刘鹏飞 ;

陈微微 ;

鲁殿海 .

中国专利 :CN120721469A ,2025-09-30

[7]

基体防护涂层的制备方法 [P].

吴护林 ;

解志文 ;

向林 ;

高旭 ;

郭锋 ;

宁海青 ;

熊欢 ;

胡素影 ;

吴帅 ;

谢浩 ;

苏虹 ;

王晓辉 ;

黄波 ;

吴迪 ;

项运良 ;

沈蕾芳 .

中国专利 :CN114381683A ,2022-04-22

[8]

半导体基体的处理方法 [P].

马岳 .

中国专利 :CN120727571A ,2025-09-30

[9]

基体防护涂层的制备方法 [P].

吴护林 ;

解志文 ;

向林 ;

高旭 ;

郭锋 ;

宁海青 ;

熊欢 ;

胡素影 ;

吴帅 ;

谢浩 ;

苏虹 ;

王晓辉 ;

黄波 ;

吴迪 ;

项运良 ;

沈蕾芳 .

中国专利 :CN114381683B ,2024-04-12

[10]

单晶氮化镓基体的制造方法和单晶氮化镓基体 [P].

元木健作 ;

笠井仁 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN1176502C ,2002-01-23

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