基体的保护方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580014029.4

申请日：

2005-05-02

公开(公告)号：

CN1950198B

公开(公告)日：

2007-04-18

发明(设计)人：

绪方四郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

B32B900

IPC分类号：

B01J3502 B32B702 C09K300 C09K318 C09D20100

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-18	公开	公开
2021-04-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B32B 9/00 申请日:20050502 授权公告日:20130501 终止日期:20200502
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-05-01	授权	授权

共 50 条

[1]

基体的保护方法 [P].

绪方四郎 .

中国专利 :CN101346191A ,2009-01-14

[2]

基体的保护方法 [P].

绪方四郎 .

中国专利 :CN101489695A ,2009-07-22

[3]

基体的保护方法 [P].

绪方四郎 .

中国专利 :CN101378854A ,2009-03-04

[4]

保护基体表面贴花的方法 [P].

钱玉章 .

中国专利 :CN101077493A ,2007-11-28

[5]

半导体基体的处理方法 [P].

赵伟 .

中国专利 :CN118531361A ,2024-08-23

[6]

基体表面金属测试方法 [P].

刘鹏飞 ;

陈微微 ;

鲁殿海 .

中国专利 :CN120721469A ,2025-09-30

[7]

基体防护涂层的制备方法 [P].

吴护林 ;

解志文 ;

向林 ;

高旭 ;

郭锋 ;

宁海青 ;

熊欢 ;

胡素影 ;

吴帅 ;

谢浩 ;

苏虹 ;

王晓辉 ;

黄波 ;

吴迪 ;

项运良 ;

沈蕾芳 .

中国专利 :CN114381683A ,2022-04-22

[8]

半导体基体的处理方法 [P].

马岳 .

中国专利 :CN120727571A ,2025-09-30

[9]

基体防护涂层的制备方法 [P].

吴护林 ;

解志文 ;

向林 ;

高旭 ;

郭锋 ;

宁海青 ;

熊欢 ;

胡素影 ;

吴帅 ;

谢浩 ;

苏虹 ;

王晓辉 ;

黄波 ;

吴迪 ;

项运良 ;

沈蕾芳 .

中国专利 :CN114381683B ,2024-04-12

[10]

单晶氮化镓基体的制造方法和单晶氮化镓基体 [P].

元木健作 ;

笠井仁 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN1176502C ,2002-01-23

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