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绝缘体上硅射频器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310032589.9
申请日：
2013-01-28
公开(公告)号：
CN103077949B
公开(公告)日：
2013-05-01
发明(设计)人：
李乐
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L21762
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
骆苏华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-07-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583993360 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2013100325899 申请日:20130128 |
| 2013-05-01 | 公开 | 公开 |
| 2014-05-07 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700586095 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2013100325899 变更事项:申请人 变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司 变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 登记生效日:20140410 |
| 2016-09-14 | 授权 | 授权 |