电连接结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510281319.0

申请日：

2015-05-28

公开(公告)号：

CN106292094A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

张心怡陈滢璟曾宪宗陈珊芳

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号

IPC主分类号：

G02F11345

IPC分类号：

G02F11333

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

汪飞亚

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02F 1/1345 申请公布日:20170104
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700784583 IPC(主分类):G02F 1/1345 专利申请号:2015102813190 申请日:20150528
2017-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

电连接结构及其制作方法、TFT阵列基板及其制备方法 [P].

廖金阅 ;

刘家麟 ;

戴延樘 ;

吕宏哲 .

中国专利 :CN110085600A ,2019-08-02

[2]

板对板连接结构及其制作方法 [P].

周雷 ;

刘瑞武 ;

周琼 ;

郭澄轩 .

中国专利 :CN119676949B ,2025-11-14

[3]

板对板连接结构及其制作方法 [P].

周雷 ;

刘瑞武 ;

周琼 ;

郭澄轩 .

中国专利 :CN119676949A ,2025-03-21

[4]

IC载板连接结构及其制作方法 [P].

黄钏杰 ;

李秋雄 ;

李治綋 ;

邹良涛 .

中国专利 :CN115410931B ,2025-11-21

[5]

IC载板连接结构及其制作方法 [P].

黄钏杰 ;

李秋雄 ;

李治綋 ;

邹良涛 .

中国专利 :CN115410931A ,2022-11-29

[6]

金属层间介电结构及其制作方法 [P].

赖经纶 ;

王锡伟 .

中国专利 :CN1205656C ,2004-02-11

[7]

像素结构及其制作方法 [P].

周政伟 .

中国专利 :CN103872142A ,2014-06-18

[8]

像素结构及其制作方法 [P].

周政伟 .

中国专利 :CN104009043A ,2014-08-27

[9]

像素结构及其制作方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN102593053B ,2012-07-18

[10]

MOSFET结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102254945A ,2011-11-23

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