等离子体处理设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880038219.7

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN110870038B

公开(公告)日：

2020-03-06

发明(设计)人：

马绍铭弗拉迪米尔·纳戈尔尼 D·V·德塞瑞安·M·帕库尔斯基

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

北京易光知识产权代理有限公司 11596

代理人：

崔晓光

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-06	公开	公开
2021-01-12	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:申请人变更前:马特森技术有限公司变更后:玛特森技术公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州变更事项:申请人变更前:北京屹唐半导体科技有限公司变更后:北京屹唐半导体科技有限公司
2022-08-12	授权	授权
2020-03-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20180228
2021-04-09	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:申请人变更前:玛特森技术公司变更后:玛特森技术公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州变更事项:申请人变更前:北京屹唐半导体科技有限公司变更后:北京屹唐半导体科技股份有限公司

共 50 条

[1]

等离子体处理方法和等离子体处理设备 [P].

奥村智洋 ;

佐佐木雄一朗 ;

冈下胜己 ;

金成国 ;

前嶋聪 ;

伊藤裕之 ;

中山一郎 ;

水野文二 .

中国专利 :CN101053066A ,2007-10-10

[2]

等离子体产生设备及等离子体处理设备 [P].

尤里·N·托尔马切夫 ;

马东俊 ;

金大一 ;

瑟吉·Y·纳瓦拉 .

中国专利 :CN1652661A ,2005-08-10

[3]

等离子体处理设备 [P].

涂乐义 ;

梁洁 ;

桂智谦 .

中国专利 :CN120529473A ,2025-08-22

[4]

等离子体处理设备 [P].

D·万德克 ;

M·哈恩尔 ;

K-O·施托克 ;

L·特鲁特威格 ;

M·里克 .

德国专利 :CN111096081B ,2024-04-12

[5]

等离子体处理设备 [P].

松本直树 ;

吉川润 ;

佐佐木胜 ;

加藤和行 ;

四方政史 ;

高桥慎伍 .

中国专利 :CN101505574A ,2009-08-12

[6]

等离子体处理设备 [P].

涂乐义 ;

梁洁 ;

桂智谦 .

中国专利 :CN120529473B ,2025-09-30

[7]

等离子体处理设备 [P].

D·万德克 ;

M·哈恩尔 ;

K-O·施托克 ;

L·特鲁特威格 ;

M·里克 .

中国专利 :CN111096081A ,2020-05-01

[8]

等离子体产生装置和等离子体处理设备 [P].

杨靖 ;

刘涛 ;

乐卫平 ;

宋成 ;

张文杰 ;

谢幸光 .

中国专利 :CN118400855A ,2024-07-26

[9]

等离子体处理设备和等离子体产生方法 [P].

石井信雄 ;

八坂保能 ;

高桥应明 ;

安藤真 .

中国专利 :CN100440448C ,2005-08-10

[10]

等离子体产生装置和等离子体处理设备 [P].

杨靖 ;

刘涛 ;

乐卫平 ;

宋成 ;

张文杰 ;

谢幸光 .

中国专利 :CN118400856A ,2024-07-26

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