等离子体处理设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511014198.3

申请日：

2025-07-23

公开(公告)号：

CN120529473B

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

涂乐义梁洁桂智谦

申请人：

上海谙邦半导体设备有限公司

申请人地址：

201304 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区洲德路1588号2幢2座

IPC主分类号：

H05H1/46

IPC分类号：

H01J37/32

代理机构：

上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292

代理人：

张明

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	授权	授权
2025-08-22	公开	公开
2025-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H05H 1/46申请日:20250723

共 50 条

[1]

等离子体处理设备 [P].

涂乐义 ;

梁洁 ;

桂智谦 .

中国专利 :CN120529473A ,2025-08-22

[2]

等离子体处理设备 [P].

马绍铭 ;

弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ;

D·V·德塞 ;

瑞安·M·帕库尔斯基 .

中国专利 :CN110870038B ,2020-03-06

[3]

双电极等离子体产生装置和等离子体处理设备 [P].

杨靖 ;

刘涛 ;

乐卫平 ;

宋成 ;

张文杰 ;

谢幸光 .

中国专利 :CN222839865U ,2025-05-06

[4]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

菅井秀郎 ;

井出哲也 ;

佐佐木厚 ;

东和文 ;

中田行彦 .

中国专利 :CN1670912A ,2005-09-21

[5]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

李勇锡 ;

郑石源 ;

许明洙 ;

安美罗 .

中国专利 :CN104576282A ,2015-04-29

[6]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

宇井明生 ;

林久贵 ;

富冈和广 ;

山本洋 ;

今村翼 .

中国专利 :CN103681196A ,2014-03-26

[7]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

山崎圭一 ;

猪冈结希子 ;

泽田康志 ;

田口典幸 ;

中园佳幸 ;

仲野章生 .

中国专利 :CN1165208C ,2002-02-06

[8]

等离子体处理设备以及等离子体处理方法 [P].

黄振华 .

中国专利 :CN113035677B ,2021-06-25

[9]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

岩井哲博 ;

有田洁 .

中国专利 :CN1669109A ,2005-09-14

[10]

等离子体处理方法和等离子体处理设备 [P].

奥村智洋 ;

佐佐木雄一朗 ;

冈下胜己 ;

金成国 ;

前嶋聪 ;

伊藤裕之 ;

中山一郎 ;

水野文二 .

中国专利 :CN101053066A ,2007-10-10

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