氧化硅薄膜制备方法、氧化膜厚度控制装置及氧化炉

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410083757.1

申请日：

2014-03-07

公开(公告)号：

CN103811335A

公开(公告)日：

2014-05-21

发明(设计)人：

徐兴国张凌越

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	授权	授权
2014-05-21	公开	公开
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583081178 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2014100837571 申请日:20140307

共 50 条

[1]

控制氧化硅膜厚度的方法 [P].

张元昌 .

中国专利 :CN103563048A ,2014-02-05

[2]

氧化硅薄膜制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN103943465B ,2014-07-23

[3]

镀氧化硅薄膜 [P].

张忠敏 ;

熊涛 ;

李知洪 ;

邹家武 ;

邓锐 .

中国专利 :CN211280089U ,2020-08-18

[4]

氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置 [P].

大部智行 ;

黑川昌毅 .

中国专利 :CN103531462A ,2014-01-22

[5]

一种氧化硅薄膜制备方法 [P].

王锦标 ;

杜一帅 ;

田圣居 ;

徐照英 ;

张腾飞 ;

苏永要 .

中国专利 :CN116103619B ,2024-09-06

[6]

氧化硅薄膜形成方法 [P].

赵加恩 ;

朴柱成 ;

郑允镐 ;

韩载然 .

韩国专利 :CN118207516A ,2024-06-18

[7]

氧化硅薄膜的制造方法 [P].

林辉巨 .

中国专利 :CN1532897A ,2004-09-29

[8]

一种氧化硅薄膜生产用控制装置 [P].

刘玮 ;

蔡年华 ;

张飚 .

中国专利 :CN119730100A ,2025-03-28

[9]

氧化硅薄膜的沉积 [P].

K·马凯 ;

S·尼曼 .

中国专利 :CN1383194A ,2002-12-04

[10]

一种氧化硅薄膜的低温制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109487233A ,2019-03-19

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