控制氧化硅膜厚度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280016521.5

申请日：

2012-03-29

公开(公告)号：

CN103563048A

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

张元昌

申请人：

申请人地址：

美国新泽西州

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

张全文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576332121 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2012800165215 申请日:20120329
2014-02-05	公开	公开
2017-05-31	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101723782198 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2012800165215 放弃生效日:20170531

共 50 条

[1]

氧化硅薄膜制备方法、氧化膜厚度控制装置及氧化炉 [P].

徐兴国 ;

张凌越 .

中国专利 :CN103811335A ,2014-05-21

[2]

氧化硅膜的制造方法 [P].

田村辰也 ;

熊谷武司 ;

千叶贵司 .

中国专利 :CN104451599A ,2015-03-25

[3]

氧化硅膜的形成方法和氧化硅膜的形成装置 [P].

冈田充弘 .

中国专利 :CN104934299A ,2015-09-23

[4]

氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置 [P].

大部智行 ;

黑川昌毅 .

中国专利 :CN103531462A ,2014-01-22

[5]

测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层电学厚度的方法 [P].

范建国 ;

郭慧 ;

战玉讯 .

中国专利 :CN101192553A ,2008-06-04

[6]

氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法 [P].

杉本俊 ;

千叶洋一 ;

田中陵二 ;

布川真理奈 .

中国专利 :CN113785085A ,2021-12-10

[7]

氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法 [P].

杉本俊 ;

千叶洋一 ;

田中陵二 ;

布川真理奈 .

日本专利 :CN113785085B ,2025-08-26

[8]

去除氮氧化硅膜的方法 [P].

刘轩 ;

杨永刚 .

中国专利 :CN101656191B ,2010-02-24

[9]

从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法 [P].

庄司秀行 ;

祐川光成 .

中国专利 :CN1218279A ,1999-06-02

[10]

氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法 [P].

卢朋 ;

李松举 ;

祝汉泉 ;

谢志生 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN108346572A ,2018-07-31

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