氧化硅薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410192908.7

申请日：

2014-05-08

公开(公告)号：

CN103943465B

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

雷通桑宁波

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

王宏婧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	授权	授权
2014-07-23	公开	公开
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584549124 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014101929087 申请日:20140508

共 50 条

[1]

一种氮化硅薄膜制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN104152865A ,2014-11-19

[2]

一种氧化硅薄膜制备方法 [P].

王锦标 ;

杜一帅 ;

田圣居 ;

徐照英 ;

张腾飞 ;

苏永要 .

中国专利 :CN116103619B ,2024-09-06

[3]

氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法 [P].

冯丽萍 ;

刘正堂 .

中国专利 :CN101368263A ,2009-02-18

[4]

一种制备氧化硅薄膜的方法 [P].

许烁烁 ;

张威 ;

杨彬 ;

唐电 ;

吴易龙 ;

彭宜昌 .

中国专利 :CN114622183A ,2022-06-14

[5]

氧化硅薄膜形成方法 [P].

赵加恩 ;

朴柱成 ;

郑允镐 ;

韩载然 .

韩国专利 :CN118207516A ,2024-06-18

[6]

氧化硅薄膜的制造方法 [P].

林辉巨 .

中国专利 :CN1532897A ,2004-09-29

[7]

从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法 [P].

H·思里丹达姆 ;

萧满超 ;

雷新建 ;

T·R·加夫尼 .

中国专利 :CN103397306A ,2013-11-20

[8]

从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法 [P].

H·思里丹达姆 ;

萧满超 ;

雷新建 ;

T·R·加夫尼 .

中国专利 :CN101078109A ,2007-11-28

[9]

从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法 [P].

H·思里丹达姆 ;

萧满超 ;

雷新建 ;

T·R·加夫尼 .

中国专利 :CN103225070A ,2013-07-31

[10]

氧化硅薄膜制备方法、氧化膜厚度控制装置及氧化炉 [P].

徐兴国 ;

张凌越 .

中国专利 :CN103811335A ,2014-05-21

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