一种制备氧化硅薄膜的方法

被引：0

申请号：

CN202011452948.2

申请日：

2020-12-11

公开(公告)号：

CN114622183A

公开(公告)日：

2022-06-14

发明(设计)人：

许烁烁张威杨彬唐电吴易龙彭宜昌

申请人：

申请人地址：

410205 湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1640 C23C1650 C23C1652

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

何文红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20201211
2022-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种热氧化硅薄膜的制备方法 [P].

高嘉骏 ;

潘峰 ;

薛成龙 ;

王含冠 ;

柏文文 ;

刘培森 ;

肖博远 ;

周鑫辰 ;

杨朋辉 ;

杨凯 ;

华千慧 ;

国洪辰 ;

崔健 .

中国专利 :CN120174332A ,2025-06-20

[2]

一种氧化硅薄膜的低温制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109487233A ,2019-03-19

[3]

氧化硅薄膜的制造方法 [P].

林辉巨 .

中国专利 :CN1532897A ,2004-09-29

[4]

氧化硅薄膜的制备方法及半导体结构 [P].

余鹏祥 .

中国专利 :CN117524851B ,2024-05-14

[5]

氧化硅薄膜的制备方法及半导体结构 [P].

余鹏祥 .

中国专利 :CN117524851A ,2024-02-06

[6]

一种氧化硅薄膜制备方法 [P].

王锦标 ;

杜一帅 ;

田圣居 ;

徐照英 ;

张腾飞 ;

苏永要 .

中国专利 :CN116103619B ,2024-09-06

[7]

氧化硅薄膜制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN103943465B ,2014-07-23

[8]

一种氧化硅膜的制备方法 [P].

雷通 .

中国专利 :CN104157567A ,2014-11-19

[9]

一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

徐思远 ;

吴茂敏 ;

张璇 ;

白孟孟 ;

庞锦涛 .

中国专利 :CN120649000A ,2025-09-16

[10]

一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

徐思远 ;

吴茂敏 ;

张璇 ;

白孟孟 ;

庞锦涛 .

中国专利 :CN120649000B ,2025-12-16

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