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氧化硅薄膜的制备方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410004403.7
申请日：
2024-01-03
公开(公告)号：
CN117524851B
公开(公告)日：
2024-05-14
发明(设计)人：
余鹏祥
申请人：
长鑫新桥存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H10B80/00
C01B33/113
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
成亚婷
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-06 | 公开 | 公开 |
| 2024-05-14 | 授权 | 授权 |
| 2024-02-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20240103 |