功率芯片散热封装结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011476154.X

申请日：

2020-12-15

公开(公告)号：

CN112614814B

公开(公告)日：

2021-04-06

发明(设计)人：

丁才华曹立强王启东丁飞

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L23373 H01L2331

代理机构：

上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313

代理人：

张东梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-28	授权	授权
2021-04-06	公开	公开
2021-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20201215

共 50 条

[1]

功率芯片的封装结构及制作方法 [P].

覃尚育 ;

胡慧雄 ;

梁伟泉 ;

杨东 .

中国专利 :CN109037159A ,2018-12-18

[2]

功率芯片的封装结构及制作方法 [P].

覃尚育 ;

胡慧雄 ;

梁伟泉 ;

杨东 .

中国专利 :CN109037159B ,2024-05-10

[3]

散热芯片及其制作方法 [P].

冯光建 ;

蔡永清 ;

黄雷 ;

高群 .

中国专利 :CN112838011A ,2021-05-25

[4]

散热封装结构和散热封装结构的制作方法 [P].

何正鸿 ;

孙杰 .

中国专利 :CN111477595A ,2020-07-31

[5]

芯片封装体及其制作方法 [P].

宋关强 .

中国专利 :CN114582843A ,2022-06-03

[6]

功率芯片及其封装方法 [P].

童富 ;

陈少俭 ;

杨琳 .

中国专利 :CN117352468A ,2024-01-05

[7]

封装结构及其制作方法 [P].

刘晓光 ;

孙拓北 ;

梅娜 .

中国专利 :CN111326486A ,2020-06-23

[8]

功率芯片封装结构及其制备方法 [P].

丁晓春 ;

李宗怿 ;

倪洽凯 ;

刘籽余 ;

柳坤 .

中国专利 :CN114649223A ,2022-06-21

[9]

功率芯片封装结构及其制造方法 [P].

谢有德 ;

赵维中 ;

陈彦玮 ;

邱思齐 .

中国专利 :CN120656940A ,2025-09-16

[10]

功率芯片封装结构及其制造方法 [P].

谢有德 ;

邱思齐 ;

赵维中 ;

陈彦玮 .

中国专利 :CN120727576A ,2025-09-30

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