利用接近晶片表面的多个入口和出口干燥半导体晶片表面的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03801405.X

申请日：

2003-09-30

公开(公告)号：

CN100431092C

公开(公告)日：

2005-02-09

发明(设计)人：

约翰·M·德拉芮奥詹姆士·P·加西亚卡尔·武德麦克·拉夫金弗利茨·雷德克约翰·博伊德阿夫辛·尼克宏

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-09	公开	公开
2017-11-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20030930 授权公告日:20081105 终止日期:20160930
2008-11-05	授权	授权
2005-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体晶片表面的清洗方法 [P].

高昀成 ;

刘轩 .

中国专利 :CN101459047B ,2009-06-17

[2]

采用臭氧清洗半导体晶片表面的装置和方法 [P].

容倍金 ;

寅权丁 ;

政烨金 .

中国专利 :CN1729063A ,2006-02-01

[3]

半导体晶片暴露表面的修整方法 [P].

W·J·布鲁克斯福尔特 ;

S·R·卡勒 ;

K·L·霍 ;

D·A·卡萨基 ;

C·R·凯塞尔 ;

T·P·克隆 ;

H·K·克兰兹 ;

R·P·梅斯纳 ;

R·J·韦布 ;

J·P·威廉斯 .

中国专利 :CN1197543A ,1998-10-28

[4]

基于半导体晶片表面的测试装置 [P].

肖凌 ;

陈秉克 ;

吴会旺 ;

赵丽霞 .

中国专利 :CN110286310A ,2019-09-27

[5]

一种平整半导体晶片表面的方法 [P].

白载学 .

中国专利 :CN1490848A ,2004-04-21

[6]

半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法 [P].

横井启时 ;

内山具朗 .

中国专利 :CN107075322B ,2017-08-18

[7]

半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法 [P].

荒桥知未 .

中国专利 :CN107112228A ,2017-08-29

[8]

半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法 [P].

五岛裕介 .

中国专利 :CN109075055A ,2018-12-21

[9]

用于与另一晶片接合的半导体晶片表面的制备 [P].

C·莫南图索特 ;

C·马勒维尔 ;

H·莫里索 ;

A·苏比 .

中国专利 :CN1954422A ,2007-04-25

[10]

半导体晶片表面的亲水化处理液 [P].

坂西裕一 .

中国专利 :CN112740371A ,2021-04-30

← 1 2 3 4 5 →