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外延层厚度测试工装及其测试外延层厚度的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911101582.1
申请日
:
2019-11-12
公开(公告)号
:
CN110926349B
公开(公告)日
:
2020-03-27
发明(设计)人
:
申晨
李乾
王丛
折伟林
高达
韩岗
申请人
:
申请人地址
:
100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
IPC主分类号
:
G01B1106
IPC分类号
:
代理机构
:
工业和信息化部电子专利中心 11010
代理人
:
张然
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-03-27
公开
公开
2021-09-03
授权
授权
2020-04-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/06 申请日:20191112
共 50 条
[1]
外延层厚度测试装置和方法
[P].
张凌云
论文数:
0
引用数:
0
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0
张凌云
;
金柱炫
论文数:
0
引用数:
0
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0
金柱炫
.
中国专利
:CN111174716A
,2020-05-19
[2]
外延结构及其制备方法、外延结构的外延层厚度监控方法
[P].
李仕强
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
苏州能讯高能半导体有限公司
苏州能讯高能半导体有限公司
李仕强
;
张晖
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
苏州能讯高能半导体有限公司
苏州能讯高能半导体有限公司
张晖
.
中国专利
:CN119495585A
,2025-02-21
[3]
电缆绝缘层厚度测试工装
[P].
刘思明
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘思明
.
中国专利
:CN215984462U
,2022-03-08
[4]
外延层厚度的测量方法
[P].
严耿昕
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
严耿昕
;
曹敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
曹敏
;
张凯元
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
张凯元
;
姜俏
论文数:
0
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0
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0
机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
姜俏
.
中国专利
:CN119905415A
,2025-04-29
[5]
一种测量外延片的外延层厚度的方法
[P].
余先育
论文数:
0
引用数:
0
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0
余先育
;
张兴华
论文数:
0
引用数:
0
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0
张兴华
;
唐德明
论文数:
0
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0
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0
唐德明
.
中国专利
:CN114739300A
,2022-07-12
[6]
一种外延层厚度监测方法
[P].
聂望欣
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
聂望欣
;
许伯山
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
许伯山
;
冯永波
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
冯永波
;
陈丹
论文数:
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0
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机构:
格科半导体(上海)有限公司
格科半导体(上海)有限公司
陈丹
.
中国专利
:CN119446947A
,2025-02-14
[7]
用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置
[P].
蒋宇飞
论文数:
0
引用数:
0
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0
蒋宇飞
;
蒋焰云
论文数:
0
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0
蒋焰云
;
朱建国
论文数:
0
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0
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朱建国
;
程宣林
论文数:
0
引用数:
0
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0
程宣林
.
中国专利
:CN215517743U
,2022-01-14
[8]
测量外延层厚度的方法、系统及存储介质
[P].
孙毅
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
孙毅
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
请求不公布姓名
;
韩喜盈
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
韩喜盈
.
中国专利
:CN117889760A
,2024-04-16
[9]
一种测量外延片的外延层厚度的装置及其测量方法
[P].
徐新华
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
徐新华
.
中国专利
:CN119133081A
,2024-12-13
[10]
一种测量外延片的外延层厚度的装置及其测量方法
[P].
徐新华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
徐新华
.
中国专利
:CN119133081B
,2025-04-08
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