干法蚀刻制程中晶圆缺陷的改善方法

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专利类型
发明
申请号
CN200710046256.6
申请日
2007-09-21
公开(公告)号
CN101393866A
公开(公告)日
2009-03-25
发明(设计)人
王亚檀 王玉
申请人
申请人地址
201203上海市张江路18号
IPC主分类号
H01L21311
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所
代理人
屈 蘅;李时云
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
改善晶圆缺陷的方法 [P]. 
牛建礼 ;
陈应杰 ;
王刚宁 ;
张君 .
中国专利 :CN101225550B ,2008-07-23
[2]
晶圆缺陷的改善方法 [P]. 
彭凌剑 ;
闫大鹏 .
中国专利 :CN101378020A ,2009-03-04
[3]
使用改善的蚀刻制程的半导体结构的制备方法 [P]. 
黄至毅 ;
庄英政 ;
陈琮诚 .
中国专利 :CN117637447A ,2024-03-01
[4]
改善晶圆剥落缺陷的方法 [P]. 
范荣伟 ;
龙吟 ;
倪棋梁 ;
陈宏璘 .
中国专利 :CN103646867A ,2014-03-19
[5]
半导体8寸晶圆蚀刻制程TD/DRM工艺石英绝缘环的再生方法 [P]. 
范银波 .
中国专利 :CN108655086A ,2018-10-16
[6]
减少晶圆缺陷的方法 [P]. 
胡伟玲 ;
李光磊 .
中国专利 :CN118983213A ,2024-11-19
[7]
晶圆缺陷的检测方法 [P]. 
张玉 ;
李彬 ;
肖春光 ;
王洋 ;
付鹏 .
中国专利 :CN101378024B ,2009-03-04
[8]
晶圆缺陷分析模型的训练方法及晶圆缺陷检测方法 [P]. 
白肖艳 ;
蔡雨桐 ;
易丛文 ;
夏敏 ;
管健 .
中国专利 :CN118967600A ,2024-11-15
[9]
缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法 [P]. 
张兴棣 ;
范荣伟 ;
王恺 .
中国专利 :CN110581082A ,2019-12-17
[10]
改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法 [P]. 
史航 ;
谢岩 .
中国专利 :CN110600364B ,2019-12-20