用于制造半导体组件的方法及半导体组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680007715.7

申请日：

2016-01-28

公开(公告)号：

CN107210335A

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

马修·迈因特尔克里斯托弗·鲍尔坦森·瓦尔盖斯

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3350 H01L2178 H01L3356

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;苏虹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20160128
2017-09-26	公开	公开
2019-07-05	授权	授权
2020-08-18	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:专利权人变更前:欧司朗光电半导体有限公司变更后:欧司朗光电半导体有限公司变更事项:地址变更前:德国雷根斯堡变更后:德国雷根斯堡变更事项:共同专利权人变更前:艾克斯瑟乐普林特有限公司变更后:艾克斯光电技术有限公司

共 50 条

[1]

用于制造半导体组件的方法及半导体组件 [P].

马修·迈因特尔 ;

克里斯托弗·鲍尔 ;

坦森·瓦尔盖斯 .

中国专利 :CN107210294A ,2017-09-26

[2]

半导体组件制造方法、半导体组件及半导体组件制造设备 [P].

拉斐尔·费雷·I·托马斯 .

中国专利 :CN102197497A ,2011-09-21

[3]

半导体组件制造方法和半导体组件 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN110504214A ,2019-11-26

[4]

半导体组件的制造方法及半导体组件 [P].

福富直树 ;

坪松良明 ;

井上文男 ;

山崎聪夫 ;

大畑洋人 ;

萩原伸介 ;

田口矩之 ;

野村宏 .

中国专利 :CN1117395C ,1997-02-26

[5]

半导体组件及半导体组件的制造方法 [P].

井出英一 ;

德山健 ;

露野圆丈 ;

中津欣也 ;

诹访时人 ;

金子裕二朗 .

中国专利 :CN103348468B ,2013-10-09

[6]

半导体组件及制造半导体组件的方法 [P].

山寄优 ;

钉宫哲也 ;

广畑贤治 .

中国专利 :CN104851861A ,2015-08-19

[7]

半导体组件的制造方法及半导体组件 [P].

福富直树 ;

坪松良明 ;

井上文男 ;

山崎聪夫 ;

大畑洋人 ;

萩原伸介 ;

田口矩之 ;

野村宏 .

中国专利 :CN1516251A ,2004-07-28

[8]

半导体组件及制造半导体组件的方法 [P].

吴伟诚 ;

侯上勇 ;

郑心圃 ;

刘醇鸿 ;

邱志威 ;

史朝文 .

中国专利 :CN104269390B ,2015-01-07

[9]

半导体组件及制造半导体组件的方法 [P].

吴伟诚 ;

侯上勇 ;

郑心圃 ;

刘醇鸿 ;

邱志威 ;

史朝文 .

中国专利 :CN102403290B ,2012-04-04

[10]

半导体组件和用于制造半导体组件的方法 [P].

艾根尼娅·奥克斯 ;

斯特凡·普费弗莱因 .

中国专利 :CN111937143A ,2020-11-13

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