一种ReS2-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010898944.0

申请日：

2020-08-31

公开(公告)号：

CN112226744B

公开(公告)日：

2021-01-15

发明(设计)人：

周译玄罗铭威徐新龙黄媛媛卢春辉杨丹

申请人：

申请人地址：

710069 陕西省西安市太白北路229号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1630 C23C1652 C23C1654

代理机构：

西安恒泰知识产权代理事务所 61216

代理人：

王孝明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20200831
2021-07-16	授权	授权
2021-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法 [P].

黄媛媛 ;

徐新龙 ;

杨丹 ;

卢春辉 ;

罗铭威 ;

马菁瑶 .

中国专利 :CN112226743B ,2021-01-15

[2]

一种转移范德瓦尔斯异质结的方法 [P].

王雷 ;

甘祺康 .

中国专利 :CN117810157A ,2024-04-02

[3]

一种转移范德瓦尔斯异质结的方法 [P].

王雷 ;

甘祺康 .

中国专利 :CN117810157B ,2024-06-21

[4]

一种范德瓦尔斯异质结型光电探测器及制备方法 [P].

王军 ;

蔡明 ;

史佳欣 ;

张云逵 ;

刘德幸 ;

牛青辰 .

中国专利 :CN109817808A ,2019-05-28

[5]

一种二维范德瓦尔斯异质结及其制备方法、应用 [P].

徐新龙 ;

李二康 ;

周译玄 ;

卢春辉 ;

葛燕青 .

中国专利 :CN118818863B ,2025-11-18

[6]

Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法 [P].

郝国林 ;

马新瑞 ;

王凯祎 ;

高枫林 ;

郝玉龙 ;

郝世杰 ;

贺力员 ;

张世伟 .

中国专利 :CN117945666A ,2024-04-30

[7]

一种二维范德瓦尔斯异质结及其制备方法、应用 [P].

徐新龙 ;

李二康 ;

周译玄 ;

卢春辉 ;

葛燕青 .

中国专利 :CN118818863A ,2024-10-22

[8]

一种基于范德瓦尔斯异质结的光电探测器及其制备方法 [P].

徐飞 ;

熊毅丰 ;

陈锦辉 .

中国专利 :CN110459548B ,2019-11-15

[9]

一种Bi<sub>2</sub>WO<sub>6</sub>-Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法及应用 [P].

周译玄 ;

赵宏泽 ;

卢春辉 ;

邵盼盼 ;

徐新龙 .

中国专利 :CN118553819A ,2024-08-27

[10]

一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源 [P].

徐新龙 ;

姚泽瀚 ;

张隆辉 ;

黄媛媛 ;

朱礼鹏 ;

杜婉怡 .

中国专利 :CN110416862A ,2019-11-05

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