集成真空微电子结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510117059.3

申请日：

2015-03-17

公开(公告)号：

CN105097390A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

D·G·帕蒂 G·格拉索

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

H01J2902

IPC分类号：

H01J902

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-28	授权	授权
2015-11-25	公开	公开
2022-12-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01J 29/02 登记生效日:20221216 变更事项:专利权人变更前权利人:意法半导体股份有限公司变更后权利人:意法半导体国际有限公司变更事项:地址变更前权利人:意大利阿格拉布里安扎变更后权利人:瑞士日内瓦
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638518178 IPC(主分类):H01J 29/02 专利申请号:2015101170593 申请日:20150317

共 50 条

[1]

集成真空微电子结构及其制造方法 [P].

D·G·帕蒂 ;

G·格拉索 .

中国专利 :CN107275171B ,2017-10-20

[2]

集成真空微电子结构 [P].

D·G·帕蒂 ;

G·格拉索 .

中国专利 :CN204905205U ,2015-12-23

[3]

集成真空微电子器件及其制造方法 [P].

D·帕蒂 .

中国专利 :CN104217909A ,2014-12-17

[4]

集成真空微电子器件 [P].

D·帕蒂 .

中国专利 :CN203932001U ,2014-11-05

[5]

集成真空微电子器件的结构与制造方法 [P].

史蒂文·M·齐默尔曼 .

中国专利 :CN1058294A ,1992-01-29

[6]

一种集成真空微电子接头 [P].

徐坚 .

中国专利 :CN110534952A ,2019-12-03

[7]

集成真空微电子触觉传感器阵列 [P].

温志渝 ;

江永清 ;

何清义 ;

吕果林 ;

林鹏 ;

蒋子平 .

中国专利 :CN1297145A ,2001-05-30

[8]

微电子器件及其制造方法 [P].

程慷果 .

中国专利 :CN101414559A ,2009-04-22

[9]

微电子结构和制造微电子结构的方法 [P].

阿尼尔·K.·钦特哈吉迪 ;

杰拉德·马图西耶维茨 ;

李保振 .

中国专利 :CN101086989A ,2007-12-12

[10]

微电子机械系统微桥结构及其制造方法 [P].

袁超 ;

康晓旭 ;

李佳青 ;

池积光 .

中国专利 :CN101962165A ,2011-02-02

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