集成真空微电子结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520153073.4

申请日：

2015-03-17

公开(公告)号：

CN204905205U

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

D·G·帕蒂 G·格拉索

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

H01J2902

IPC分类号：

H01J902

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-23	授权	授权
2017-07-28	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756401808 IPC(主分类):H01J 29/02 专利号:ZL2015201530734 申请日:20150317 授权公告日:20151223 放弃生效日:20170728

共 50 条

[1]

集成真空微电子结构及其制造方法 [P].

D·G·帕蒂 ;

G·格拉索 .

中国专利 :CN107275171B ,2017-10-20

[2]

集成真空微电子器件 [P].

D·帕蒂 .

中国专利 :CN203932001U ,2014-11-05

[3]

集成真空微电子结构及其制造方法 [P].

D·G·帕蒂 ;

G·格拉索 .

中国专利 :CN105097390A ,2015-11-25

[4]

集成真空微电子器件及其制造方法 [P].

D·帕蒂 .

中国专利 :CN104217909A ,2014-12-17

[5]

一种集成真空微电子接头 [P].

徐坚 .

中国专利 :CN110534952A ,2019-12-03

[6]

集成真空微电子触觉传感器阵列 [P].

温志渝 ;

江永清 ;

何清义 ;

吕果林 ;

林鹏 ;

蒋子平 .

中国专利 :CN1297145A ,2001-05-30

[7]

集成真空微电子器件的结构与制造方法 [P].

史蒂文·M·齐默尔曼 .

中国专利 :CN1058294A ,1992-01-29

[8]

微电子结构 [P].

R·布鲁赫豪斯 ;

C·马祖雷－埃斯佩霍 ;

R·普里米格 .

中国专利 :CN1334960A ,2002-02-06

[9]

真空微电子电场传感器 [P].

夏善红 .

中国专利 :CN1162714C ,2002-12-11

[10]

真空微电子气体传感器 [P].

刘锦淮 ;

张耀华 ;

李明强 ;

张正勇 ;

焦正 ;

张蓉 .

中国专利 :CN2282680Y ,1998-05-27

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