金属氧化物薄膜的制造方法及制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880015431.8

申请日：

2008-05-16

公开(公告)号：

CN101680088B

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

安井宽治西山洋筑地正俊井上泰宣高田雅介

申请人：

申请人地址：

日本新泻县

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C01G902 H01L21365

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蒋亭;苗堃

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001463519 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2008800154318 申请日:20080516
2010-03-24	公开	公开
2016-06-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101668946291 IPC(主分类):C23C 16/40 专利号:ZL2008800154318 申请日:20080516 授权公告日:20130102 终止日期:20150516
2013-01-02	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物的制造装置及前述金属氧化物的制造方法 [P].

龟井清雄 ;

袁建军 ;

关根均 ;

木下宏司 .

中国专利 :CN109415207A ,2019-03-01

[2]

金属氧化物的制造装置和金属氧化物的制造方法 [P].

村田秀之 ;

矢木直人 ;

饭田正纪 ;

今村彰志 ;

袁建军 .

日本专利 :CN118176161A ,2024-06-11

[3]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[4]

金属氧化物析出物的制造方法 [P].

八尾健 .

中国专利 :CN1083400C ,1997-05-28

[5]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[6]

制造金属氧化物的方法 [P].

C·舒尔策伊斯福特 ;

M·哈格曼 .

中国专利 :CN105492393A ,2016-04-13

[7]

氧化物陶瓷薄膜的制造方法 [P].

F·欣特梅尔 .

中国专利 :CN1205557A ,1999-01-20

[8]

氧化物薄膜制造方法及其制造装置 [P].

西冈浩 ;

梶沼雅彦 ;

山田贵一 ;

增田健 ;

植松正纪 ;

邹红罡 .

中国专利 :CN1842901A ,2006-10-04

[9]

金属氧化物溶胶的制造方法 [P].

大森丰 ;

加藤博和 ;

小山欣也 ;

山口健二 .

中国专利 :CN101031512B ,2007-09-05

[10]

用于OLED的金属氧化物薄膜基板及其制造方法 [P].

李柱永 ;

朴峻亨 ;

刘泳祚 ;

金序炫 ;

朴正佑 ;

白逸姬 ;

尹根尙 ;

李铉熙 ;

崔殷豪 .

中国专利 :CN103730600A ,2014-04-16

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