氧化物薄膜制造方法及其制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480024317.3

申请日：

2004-08-25

公开(公告)号：

CN1842901A

公开(公告)日：

2006-10-04

发明(设计)人：

西冈浩梶沼雅彦山田贵一增田健植松正纪邹红罡

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

C23C1640

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-19	授权	授权
2006-10-04	公开	公开
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜的制造方法及制造装置 [P].

安井宽治 ;

西山洋 ;

筑地正俊 ;

井上泰宣 ;

高田雅介 .

中国专利 :CN101680088B ,2010-03-24

[2]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[3]

制造氧化物薄膜的方法 [P].

吴季珍 ;

吴伟庭 ;

王卿昧 ;

陈贞夙 .

中国专利 :CN102230172B ,2011-11-02

[4]

氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜 [P].

宗安慧 ;

奈良淳史 .

日本专利 :CN114959594B ,2024-07-19

[5]

氧化物薄膜的制造方法 [P].

木岛健 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1312744C ,2004-06-16

[6]

复合透明氧化物薄膜及其制造方法 [P].

庄尧智 .

中国专利 :CN103366866A ,2013-10-23

[7]

氧化物粉末制造装置及其制造方法 [P].

金泰石 .

中国专利 :CN109279580A ,2019-01-29

[8]

氧化物超导薄膜及其制造方法 [P].

永石龙起 ;

本田元气 ;

山口岩 ;

真部高明 ;

日方威 ;

松井浩明 ;

近藤和吉 ;

山崎裕文 ;

熊谷俊弥 .

中国专利 :CN104380395A ,2015-02-25

[9]

氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法 [P].

川岛浩和 ;

矢野公规 ;

宇都野太 ;

井上一吉 .

中国专利 :CN102105619B ,2011-06-22

[10]

氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法 [P].

川岛浩和 ;

矢野公规 ;

宇都野太 ;

井上一吉 .

中国专利 :CN103233204A ,2013-08-07

← 1 2 3 4 5 →