制造氧化物薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110103211.4

申请日：

2011-04-18

公开(公告)号：

CN102230172B

公开(公告)日：

2011-11-02

发明(设计)人：

吴季珍吴伟庭王卿昧陈贞夙

申请人：

申请人地址：

中国台湾台南市大学路1号

IPC主分类号：

C23C2400

IPC分类号：

C23C1812

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

陈万青;王珍仙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-02	授权	授权
2011-11-02	公开	公开
2015-06-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101612554593 IPC(主分类):C23C 24/00 专利号:ZL2011101032114 申请日:20110418 授权公告日:20130102 终止日期:20140418
2011-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101152730934 IPC(主分类):C23C 24/00 专利申请号:2011101032114 申请日:20110418

共 50 条

[1]

氧化物薄膜的制造方法 [P].

木岛健 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1312744C ,2004-06-16

[2]

氧化物薄膜制造方法及其制造装置 [P].

西冈浩 ;

梶沼雅彦 ;

山田贵一 ;

增田健 ;

植松正纪 ;

邹红罡 .

中国专利 :CN1842901A ,2006-10-04

[3]

氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜 [P].

宗安慧 ;

奈良淳史 .

日本专利 :CN114959594B ,2024-07-19

[4]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[5]

氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法 [P].

寺村享祐 ;

深川功儿 .

中国专利 :CN110770191B ,2020-02-07

[6]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

彭钊 .

中国专利 :CN111088484A ,2020-05-01

[7]

金属氧化物薄膜的制造方法及制造装置 [P].

安井宽治 ;

西山洋 ;

筑地正俊 ;

井上泰宣 ;

高田雅介 .

中国专利 :CN101680088B ,2010-03-24

[8]

氧化物超导薄膜材料、氧化物超导薄膜线材和氧化物超导薄膜的制造方法 [P].

元木贵则 ;

下山淳一 ;

本田元气 ;

永石龙起 .

中国专利 :CN110383398B ,2019-10-25

[9]

制造氧化物超导薄膜的方法 [P].

本田元气 ;

种子田贤宏 ;

加藤武志 .

中国专利 :CN102132359B ,2011-07-20

[10]

制造氧化物超导薄膜的方法 [P].

母仓修司 ;

大松一也 .

中国专利 :CN1649794A ,2005-08-03

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