半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410222766.4

申请日：

2014-05-23

公开(公告)号：

CN104183638A

公开(公告)日：

2014-12-03

发明(设计)人：

金村雅仁

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908 H01L21335

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

朱胜;陈炜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	授权	授权
2014-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101593540967 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014102227664 申请日:20140523
2014-12-03	公开	公开

共 50 条

[11]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山田高宽 ;

中村茉里香 ;

伊藤正尚 ;

泷口雄贵 .

日本专利 :CN117461141A ,2024-01-26

[12]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[13]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

加藤伸二郎 ;

秋野胜 .

中国专利 :CN108573943A ,2018-09-25

[14]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

长谷川一也 ;

冈彻 ;

田中成明 .

中国专利 :CN104979407B ,2015-10-14

[15]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

安松拓人 .

中国专利 :CN101346810A ,2009-01-14

[16]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

内山博幸 ;

藤崎寿美子 ;

森塚翼 .

中国专利 :CN107026208B ,2017-08-08

[17]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

大见忠弘 ;

杉谷耕一 .

中国专利 :CN101506985A ,2009-08-12

[18]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

西山雄士 ;

宫崎正行 ;

北村祥司 .

中国专利 :CN108292605A ,2018-07-17

[19]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

齐藤贵翁 ;

金子诚二 ;

神崎庸辅 ;

高丸泰 ;

井手启介 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN106605295A ,2017-04-26

[20]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

前田凉 .

中国专利 :CN109273519A ,2019-01-25

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