半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810193403.0

申请日：

2018-03-09

公开(公告)号：

CN108573943A

公开(公告)日：

2018-09-25

发明(设计)人：

加藤伸二郎秋野胜

申请人：

申请人地址：

日本千叶县

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L2148

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

李辉;邓毅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-25	公开	公开
2021-03-16	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 23/485 申请公布日:20180925
2019-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/485 申请日:20180309

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

森田健士 ;

加藤伸二郎 ;

秋野胜 ;

井村行宏 .

中国专利 :CN108573950A ,2018-09-25

[2]

半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P].

多木俊裕 .

中国专利 :CN102651395B ,2012-08-29

[3]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1183580C ,2001-11-21

[4]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

远藤佑太 ;

斎藤隆行 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102725851B ,2012-10-10

[5]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

谷口浩二 .

中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02

[6]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

远藤佑太 ;

斎藤隆行 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN105405747A ,2016-03-16

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

[8]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

刘小明 ;

杨荣 .

中国专利 :CN117730408A ,2024-03-19

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

平崎贵英 .

日本专利 :CN119318218A ,2025-01-14

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

加藤弘晃 .

日本专利 :CN118263210A ,2024-06-28

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