半导体器件的互连结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810199515.7

申请日：

2013-12-23

公开(公告)号：

CN108336022A

公开(公告)日：

2018-07-27

发明(设计)人：

姜旼声

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23528

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

刘灿强;尹淑梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-27	公开	公开
2018-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20131223

共 50 条

[1]

互连结构及半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN208655631U ,2019-03-26

[2]

互连结构及半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN209561401U ,2019-10-29

[3]

用于半导体器件的互连结构 [P].

郭涵馨 ;

柯忠祁 ;

杨能杰 ;

黄富明 ;

蔡及铭 ;

陈亮光 .

中国专利 :CN104752338B ,2015-07-01

[4]

用于半导体器件的互连结构 [P].

丁致远 .

中国专利 :CN104701248A ,2015-06-10

[5]

包括互连结构的半导体器件 [P].

李洋熙 ;

权炳昊 ;

朴钟爀 ;

尹普彦 ;

尹一永 ;

洪锡俊 .

韩国专利 :CN117352493A ,2024-01-05

[6]

用于半导体器件的互连结构 [P].

王柏荃 ;

陈冠亘 ;

洪嘉阳 ;

潘升良 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN114334804A ,2022-04-12

[7]

半导体互连结构 [P].

赖志明 ;

黄文俊 ;

刘如淦 ;

陈笔聪 .

中国专利 :CN103383934B ,2013-11-06

[8]

金属互连结构及半导体器件 [P].

孔森 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN222801806U ,2025-04-25

[9]

具有多层互连结构的半导体器件 [P].

松本明 ;

井口学 ;

小室雅宏 ;

深濑匡 .

中国专利 :CN1521843A ,2004-08-18

[10]

具有多层互连结构的半导体器件 [P].

渡边健一 ;

中村友二 ;

大冢敏志 .

中国专利 :CN101582410B ,2009-11-18

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