一种复合单晶压电衬底薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911142020.1

申请日：

2019-11-20

公开(公告)号：

CN111128699B

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

李真宇杨超胡文张秀全罗具廷

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台区1号楼B座1806室

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L2118

代理机构：

山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108

代理人：

张娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20191120
2020-05-08	公开	公开
2022-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种单晶压电薄膜及其制备方法 [P].

欧欣 ;

陈阳 ;

黄凯 .

中国专利 :CN115084352B ,2025-12-12

[2]

一种单晶压电薄膜及其制备方法 [P].

欧欣 ;

陈阳 ;

黄凯 .

中国专利 :CN115084352A ,2022-09-20

[3]

一种复合压电衬底及其制备方法 [P].

母凤文 ;

黄秀松 ;

高文琳 ;

郭超 .

中国专利 :CN117750868B ,2024-05-10

[4]

一种复合压电衬底及其制备方法 [P].

母凤文 ;

黄秀松 ;

高文琳 ;

郭超 .

中国专利 :CN117750868A ,2024-03-22

[5]

单晶压电薄膜异质衬底的制备方法 [P].

欧欣 ;

鄢有泉 ;

黄凯 ;

游天桂 ;

王曦 .

中国专利 :CN110137341B ,2019-08-16

[6]

一种复合压电衬底结构 [P].

母凤文 ;

谭向虎 ;

刘福超 .

中国专利 :CN223364506U ,2025-09-19

[7]

一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法 [P].

李真宇 ;

胡文 ;

张秀全 ;

罗具廷 ;

杨超 .

中国专利 :CN110581212A ,2019-12-17

[8]

一种复合压电衬底及其制备方法 [P].

李真宇 ;

杨超 .

中国专利 :CN111816756A ,2020-10-23

[9]

一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法 [P].

郑姗姗 ;

李真宇 ;

刘亚明 ;

孔霞 .

中国专利 :CN114122250A ,2022-03-01

[10]

一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法 [P].

郑姗姗 ;

李真宇 ;

刘亚明 ;

孔霞 .

中国专利 :CN114122250B ,2025-07-11

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