单晶压电薄膜异质衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810107653.8

申请日：

2018-02-02

公开(公告)号：

CN110137341B

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

欧欣鄢有泉黄凯游天桂王曦

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L41312

IPC分类号：

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所 31233

代理人：

宋缨

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	公开	公开
2019-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/312 申请日:20180202
2022-04-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 41/312 登记生效日:20220401 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所变更后权利人:上海新硅聚合半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁区长宁路865号变更后权利人:201800 上海市嘉定区新徕路168号2幢2层A区
2020-10-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅基压电薄膜异质衬底的制备方法 [P].

欧欣 ;

林家杰 .

中国专利 :CN118695767A ,2024-09-24

[2]

一种异质单晶薄膜的制备方法及异质单晶薄膜 [P].

欧欣 ;

李忠旭 ;

黄凯 .

中国专利 :CN113394338A ,2021-09-14

[3]

一种异质薄膜衬底的制备方法、异质薄膜衬底及声滤波器 [P].

欧欣 ;

李忠旭 ;

黄凯 .

中国专利 :CN118742185A ,2024-10-01

[4]

一种异质薄膜衬底的制备方法 [P].

肖博远 ;

潘峰 ;

薛成龙 ;

王含冠 ;

柏文文 ;

刘培森 ;

周鑫辰 ;

高嘉骏 ;

杨朋辉 ;

杨凯 ;

华千慧 ;

国洪辰 ;

崔健 .

中国专利 :CN119923186A ,2025-05-02

[5]

一种复合单晶压电衬底薄膜及其制备方法 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

胡文 ;

张秀全 ;

罗具廷 .

中国专利 :CN111128699B ,2020-05-08

[6]

一种压电异质衬底结构及制备方法 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN118695766A ,2024-09-24

[7]

一种异质衬底薄膜的制备方法 [P].

欧欣 ;

金婷婷 ;

林家杰 ;

游天桂 .

中国专利 :CN111799366A ,2020-10-20

[8]

一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法 [P].

刘东方 ;

李纪周 ;

张伟 ;

王聪 ;

陈小源 ;

鲁林峰 .

中国专利 :CN108242420A ,2018-07-03

[9]

一种单晶压电薄膜及其制备方法 [P].

欧欣 ;

陈阳 ;

黄凯 .

中国专利 :CN115084352B ,2025-12-12

[10]

一种单晶压电薄膜及其制备方法 [P].

欧欣 ;

陈阳 ;

黄凯 .

中国专利 :CN115084352A ,2022-09-20

← 1 2 3 4 5 →