一种掺杂碳的氧化镓薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811487166.5

申请日：

2018-12-06

公开(公告)号：

CN109755336A

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

王霞李培刚唐为华

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区仁和镇顺强路1号1幢2号

IPC主分类号：

H01L31032

IPC分类号：

C23C1435 C23C1408

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王文君;陈征

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-14	公开	公开
2021-08-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/032 申请公布日:20190514
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20181206

共 50 条

[1]

Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用 [P].

章建国 ;

张文瑞 ;

叶继春 ;

王维 ;

刘宁涛 .

中国专利 :CN113584587B ,2021-11-02

[2]

一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

蒋大勇 ;

苏文清 ;

赵曼 ;

魏浩明 ;

段雨晗 .

中国专利 :CN120924908A ,2025-11-11

[3]

一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

蒋大勇 ;

苏文清 ;

赵曼 ;

魏浩明 ;

段雨晗 .

中国专利 :CN120924908B ,2025-12-09

[4]

一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用 [P].

张磊 ;

黄浩斐 ;

钱智超 ;

张巍 ;

王露露 ;

陈雯昕 ;

龚恒玥 ;

唐可 ;

王林军 ;

黄健 .

中国专利 :CN117286461B ,2025-12-30

[5]

p型掺杂氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

闫金良 ;

赵刚 ;

初斌华 ;

张立春 .

中国专利 :CN107119258A ,2017-09-01

[6]

一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法 [P].

黄元琪 .

中国专利 :CN109411328B ,2019-03-01

[7]

一种非晶氧化镓薄膜及其制备方法与应用 [P].

陈子强 ;

张楚昂 .

中国专利 :CN118007095A ,2024-05-10

[8]

一种β相氧化镓薄膜及其制备和掺杂方法 [P].

任卫 ;

张博宇 ;

王伟杰 ;

冯爱玲 ;

周倩 ;

张亚明 ;

李仃 ;

李怡 .

中国专利 :CN115928014B ,2024-06-14

[9]

基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

汪启军 ;

王志燊 ;

刘胜 ;

张召富 ;

吴改 ;

沈威 ;

张栋梁 ;

李瑞 .

中国专利 :CN120796952A ,2025-10-17

[10]

一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法 [P].

咸冯林 ;

徐林华 ;

杨明珠 ;

匡文剑 ;

郑改革 ;

李金花 ;

曹兆楼 ;

裴世鑫 .

中国专利 :CN112126897B ,2020-12-25

← 1 2 3 4 5 →