一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811096587.5

申请日：

2018-09-19

公开(公告)号：

CN109411328B

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

黄元琪

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区仁和镇顺强路1号1幢2号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2302 C30B2916

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王文君;王文红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180919
2022-11-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20221111 变更事项:专利权人变更前权利人:唐为华变更后权利人:北京镓和半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:100086 北京市海淀区中关村911楼512号变更后权利人:101400 北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街53号院13号楼3层01-325室
2019-03-01	公开	公开
2021-05-11	授权	授权
2021-09-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20210825 变更事项:专利权人变更前权利人:北京镓族科技有限公司变更后权利人:唐为华变更事项:地址变更前权利人:101300 北京市顺义区仁和镇顺强路1号1幢2号变更后权利人:100086 北京市海淀区中关村911楼512号

共 50 条

[1]

一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

张权岳 .

中国专利 :CN105734498A ,2016-07-06

[2]

一种掺杂碳的氧化镓薄膜及其制备方法与应用 [P].

王霞 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109755336A ,2019-05-14

[3]

一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

蒋大勇 ;

苏文清 ;

赵曼 ;

魏浩明 ;

段雨晗 .

中国专利 :CN120924908A ,2025-11-11

[4]

一种锡掺杂非晶氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

蒋大勇 ;

苏文清 ;

赵曼 ;

魏浩明 ;

段雨晗 .

中国专利 :CN120924908B ,2025-12-09

[5]

n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜 [P].

黄健 ;

胡艳 ;

尚艺 ;

陈卓睿 ;

李洪伟 ;

唐可 ;

王林军 .

中国专利 :CN112103175A ,2020-12-18

[6]

一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法 [P].

咸冯林 ;

徐林华 ;

杨明珠 ;

匡文剑 ;

郑改革 ;

李金花 ;

曹兆楼 ;

裴世鑫 .

中国专利 :CN112126897B ,2020-12-25

[7]

p型掺杂氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

闫金良 ;

赵刚 ;

初斌华 ;

张立春 .

中国专利 :CN107119258A ,2017-09-01

[8]

一种金属辅助氧化镓结晶薄膜及其制备方法 [P].

曹鸿涛 ;

裴郁 ;

梁凌燕 .

中国专利 :CN114438449A ,2022-05-06

[9]

一种金属辅助氧化镓结晶薄膜及其制备方法 [P].

曹鸿涛 ;

裴郁 ;

梁凌燕 .

中国专利 :CN114438449B ,2024-07-02

[10]

一种β相氧化镓薄膜及其制备和掺杂方法 [P].

任卫 ;

张博宇 ;

王伟杰 ;

冯爱玲 ;

周倩 ;

张亚明 ;

李仃 ;

李怡 .

中国专利 :CN115928014B ,2024-06-14

← 1 2 3 4 5 →