刻蚀液及刻蚀装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910332935.2

申请日：

2019-04-24

公开(公告)号：

CN109930153B

公开(公告)日：

2019-06-25

发明(设计)人：

赵芬利秦文张月红

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

IPC主分类号：

C23F118

IPC分类号：

C23F102 C23F108

代理机构：

深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300

代理人：

黄威

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23F 1/18 变更事项:专利权人变更前:深圳市华星光电技术有限公司变更后:TCL华星光电技术有限公司变更事项:地址变更前:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更后:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
2019-06-25	公开	公开
2019-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23F 1/18 申请日:20190424
2021-01-01	授权	授权

共 50 条

[1]

刻蚀液及刻蚀方法 [P].

赵芬利 ;

秦文 ;

张月红 .

中国专利 :CN110144588A ,2019-08-20

[2]

刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法 [P].

赵芬利 ;

秦文 ;

张月红 .

中国专利 :CN110079803A ,2019-08-02

[3]

刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法 [P].

赵芬利 ;

秦文 ;

张月红 .

中国专利 :CN109930154A ,2019-06-25

[4]

组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法 [P].

吴祥 ;

李卫民 .

中国专利 :CN113943579A ,2022-01-18

[5]

TBC电池的N区刻蚀结构、刻蚀添加剂及刻蚀抛光液 [P].

许锦钢 ;

徐海舰 ;

陈培良 ;

章圆圆 ;

符黎明 .

中国专利 :CN121126955A ,2025-12-12

[6]

铜催化刻蚀硅片刻蚀液用添加剂、刻蚀体系及刻蚀方法 [P].

李绍元 ;

洪世豪 ;

马文会 ;

吕国强 ;

于洁 ;

万小涵 .

中国专利 :CN113292999A ,2021-08-24

[7]

刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法 [P].

白靖宇 .

中国专利 :CN110491803A ,2019-11-22

[8]

一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法 [P].

张梓晗 ;

吕鹏 ;

陶豹 .

中国专利 :CN104962919A ,2015-10-07

[9]

一种单晶硅的刻蚀方法及刻蚀液 [P].

黄仕华 ;

金日升 ;

李兴达 .

中国专利 :CN110416074A ,2019-11-05

[10]

刻蚀液补给方法及补给装置、刻蚀设备 [P].

涂程林 ;

郝利兰 ;

张永仓 .

中国专利 :CN115494887A ,2022-12-20

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