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基于场效应晶体管的纳米孔阵列结构

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202120632575.0
申请日：
2021-03-29
公开(公告)号：
CN215050352U
公开(公告)日：
2021-12-07
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
201800 上海市嘉定区环城路2222号1幢J
IPC主分类号：
C12M142
IPC分类号：
C12M134 C12M100 C12Q16869
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
贺妮妮
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-07 授权 授权
共 50 条
[1]
基于场效应晶体管的纳米孔阵列结构及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN115125131A ,2022-09-30
[2]
场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法 [P]. 
金洞院 ;
金大万 ;
丁润夏 ;
朴修永 ;
朴赞训 ;
白禄贤 ;
李尚贤 .
中国专利 :CN103378161A ,2013-10-30
[3]
场效应晶体管器件 [P]. 
马培培 ;
郑军 ;
成步文 .
中国专利 :CN111341840A ,2020-06-26
[4]
场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法 [P]. 
亚尔马·E·A·胡伊特马 ;
巴尔特-亨德里克·胡伊斯曼 .
中国专利 :CN1791990B ,2006-06-21
[5]
场效应晶体管的局部界面调控方法及场效应晶体管 [P]. 
石媛媛 ;
房浩天 ;
孙东东 .
中国专利 :CN118737828A ,2024-10-01
[6]
异质结构场效应晶体管、包括异质结构场效应晶体管的集成电路以及用于制造异质结构场效应晶体管的方法 [P]. 
菲利普·雷诺 .
中国专利 :CN101689564A ,2010-03-31
[7]
阵列式场效应晶体管 [P]. 
何军 .
中国专利 :CN102024824A ,2011-04-20
[8]
场效应晶体管封装结构 [P]. 
资重兴 .
中国专利 :CN204155918U ,2015-02-11
[9]
垂直场效应晶体管结构和垂直场效应晶体管结构制造方法 [P]. 
J·巴林豪斯 .
德国专利 :CN120166748A ,2025-06-17
[10]
场效应晶体管及用于场效应晶体管的边缘结构 [P]. 
马荣耀 ;
李铁生 ;
王怀锋 .
中国专利 :CN203277387U ,2013-11-06
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