一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110317165.8
申请日
2011-10-18
公开(公告)号
CN102332474A
公开(公告)日
2012-01-25
发明(设计)人
王丽 苏雪琼 孙睿 包传辰
申请人
申请人地址
100124 北京市朝阳区平乐园100号
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L2926 H01L21329
代理机构
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203
代理人
沈波
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件 [P]. 
王丽 ;
苏雪琼 ;
包传辰 ;
孙睿 .
中国专利 :CN202268352U ,2012-06-06
[2]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
卜爱民 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN115083921A ,2022-09-20
[3]
氧化铟镓锌肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
徐光伟 ;
李浩鑫 ;
韩照 ;
周选择 ;
龙世兵 .
中国专利 :CN117913148A ,2024-04-19
[4]
一种基于铟铝锌氧化物的肖特基二极管及其制备方法 [P]. 
冯先进 ;
徐伟东 .
中国专利 :CN111081765B ,2020-04-28
[5]
一种氧化镓肖特基二极管结构基及其制备方法 [P]. 
郑浩辰 ;
李培刚 ;
王进进 ;
季学强 .
中国专利 :CN120475726A ,2025-08-12
[6]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
敦少博 ;
吕元杰 ;
韩婷婷 ;
卜爱民 ;
许靖 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743874A ,2022-07-12
[7]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
敦少博 ;
吕元杰 ;
韩婷婷 ;
卜爱民 ;
许靖 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743874B ,2025-11-21
[8]
一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法 [P]. 
叶志镇 ;
袁国栋 ;
黄靖云 ;
赵炳辉 .
中国专利 :CN1230914C ,2003-09-03
[9]
肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P]. 
尹志军 ;
崔国新 ;
冯会会 ;
许志城 .
中国专利 :CN112086353A ,2020-12-15
[10]
肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P]. 
尹志军 ;
崔国新 ;
冯会会 ;
许志城 .
中国专利 :CN112086353B ,2024-10-01