一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03116008.5

申请日：

2003-03-25

公开(公告)号：

CN1230914C

公开(公告)日：

2003-09-03

发明(设计)人：

叶志镇袁国栋黄靖云赵炳辉

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L21328

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-09-03	公开	公开
2005-12-07	授权	授权
2008-05-21	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

一种肖特基二极管的原型器件 [P].

叶志镇 ;

袁国栋 ;

黄靖云 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN2615867Y ,2004-05-12

[2]

肖特基二极管的制备方法和肖特基二极管 [P].

李理 ;

赵圣哲 ;

马万里 ;

姜春亮 .

中国专利 :CN107546124A ,2018-01-05

[3]

片式肖特基二极管 [P].

王毅 ;

殷俊 ;

陈晓华 .

中国专利 :CN201741701U ,2011-02-09

[4]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353A ,2020-12-15

[5]

肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

冯会会 ;

许志城 .

中国专利 :CN112086353B ,2024-10-01

[6]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252A ,2022-07-05

[7]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252B ,2025-09-19

[8]

一种肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

张海燕 ;

黄靖云 ;

李蓓 .

中国专利 :CN2562372Y ,2003-07-23

[9]

高频肖特基二极管 [P].

叶志镇 ;

张海燕 ;

黄靖云 ;

李蓓 .

中国专利 :CN1171319C ,2003-01-01

[10]

一种沟槽肖特基二极管的制备方法 [P].

徐显修 ;

刘斌凯 ;

张恒源 ;

陈越 ;

龚妮娜 .

中国专利 :CN116631867B ,2024-07-30

← 1 2 3 4 5 →