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竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011361668.0
申请日：
2020-11-27
公开(公告)号：
CN112885888A
公开(公告)日：
2021-06-01
发明(设计)人：
A·布罗克迈尔 F·J·桑托斯罗德里格斯 H-J·舒尔策
申请人：
申请人地址：
奥地利菲拉赫西门子大街2号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L29739 H01L29861 H01L21331 H01L21329
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
刘书航;周学斌
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-01 公开 公开
共 50 条
[1]
竖向功率半导体器件 [P]. 
曾光 ;
D·彼得斯 .
德国专利 :CN118571932A ,2024-08-30
[2]
竖向功率半导体器件和制造方法 [P]. 
H-J·舒尔茨 ;
P·科勒-雷德利希 ;
T·拉斯卡 ;
F-J·尼德诺斯泰德 ;
V·范特里克 .
中国专利 :CN113937160A ,2022-01-14
[3]
竖向功率半导体器件和制造方法 [P]. 
F·D·普菲尔施 ;
C·P·桑多 ;
D·韦伯 .
中国专利 :CN113675265A ,2021-11-19
[4]
半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
田中浩治 ;
矶崎诚也 .
中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30
[5]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11
[6]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06
[7]
半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
中村和子 .
中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24
[8]
功率半导体器件和功率半导体器件的制造方法 [P]. 
D·卡塞斯 ;
A·科泽尼茨 ;
H·舒尔茨 ;
F·乌姆巴赫 .
中国专利 :CN115706008A ,2023-02-17
[9]
包括SIC半导体本体的竖向功率半导体器件 [P]. 
T·R·西米耶尼克 ;
H-J·舒尔茨 ;
W·舒斯特雷德 .
德国专利 :CN117954503A ,2024-04-30
[10]
功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
D·特拉塞尔 ;
H·拜尔 ;
M·马利基 .
:CN116830247B ,2024-08-09
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