竖向功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410219549.3

申请日：

2024-02-28

公开(公告)号：

CN118571932A

公开(公告)日：

2024-08-30

发明(设计)人：

曾光 D·彼得斯

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/06

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘书航;陈晓

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-30	公开	公开

共 50 条

[1]

包括SIC半导体本体的竖向功率半导体器件 [P].

T·R·西米耶尼克 ;

H-J·舒尔茨 ;

W·舒斯特雷德 .

德国专利 :CN117954503A ,2024-04-30

[2]

竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法 [P].

A·布罗克迈尔 ;

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN112885888A ,2021-06-01

[3]

功率半导体器件 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

彭天智 ;

杨文敏 ;

张正 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN119922962B ,2025-06-20

[4]

功率半导体器件 [P].

P·甘蒙 ;

C·W·陈 .

中国专利 :CN107548521A ,2018-01-05

[5]

功率半导体器件 [P].

李学会 .

中国专利 :CN206685391U ,2017-11-28

[6]

功率半导体器件 [P].

O.洪贝尔 ;

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

D.卡尔 ;

P.S.科赫 ;

A.科普罗夫斯基 ;

S.克伦普 ;

T.库尔茨曼 ;

E.莱歇尔 ;

H.吕廷 .

德国专利 :CN111326566B ,2024-09-17

[7]

功率半导体器件 [P].

O.洪贝尔 ;

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

D.卡尔 ;

P.S.科赫 ;

A.科普罗夫斯基 ;

S.克伦普 ;

T.库尔茨曼 ;

E.莱歇尔 ;

H.吕廷 .

中国专利 :CN111326566A ,2020-06-23

[8]

功率半导体器件 [P].

孙楠楠 ;

荣子全 ;

潘菊 ;

万波 ;

张均宝 ;

于梦蛟 ;

吴赜成 .

中国专利 :CN222168398U ,2024-12-13

[9]

功率半导体器件 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

彭天智 ;

杨文敏 ;

张正 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN119922962A ,2025-05-02

[10]

竖向功率半导体器件和制造方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

C·P·桑多 ;

D·韦伯 .

中国专利 :CN113675265A ,2021-11-19

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