竖向功率半导体器件和制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110526626.6

申请日：

2021-05-14

公开(公告)号：

CN113675265A

公开(公告)日：

2021-11-19

发明(设计)人：

F·D·普菲尔施 C·P·桑多 D·韦伯

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘书航;周学斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

竖向功率半导体器件和制造方法 [P].

H-J·舒尔茨 ;

P·科勒-雷德利希 ;

T·拉斯卡 ;

F-J·尼德诺斯泰德 ;

V·范特里克 .

中国专利 :CN113937160A ,2022-01-14

[2]

竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法 [P].

A·布罗克迈尔 ;

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN112885888A ,2021-06-01

[3]

竖向功率半导体器件 [P].

曾光 ;

D·彼得斯 .

德国专利 :CN118571932A ,2024-08-30

[4]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

H-J·泰斯 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN119767703A ,2025-04-04

[5]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[6]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[7]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

A·菲利普 ;

T·阿诺德 ;

S·施密特 ;

F·J·尼德诺斯特海德 .

德国专利 :CN120129259A ,2025-06-10

[8]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

A·莫德 ;

H-J·泰斯 .

德国专利 :CN119767702A ,2025-04-04

[9]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

T·纳尔德曼 ;

V·拉皮杜斯 ;

F·普菲尔施 ;

A·斯卡沃佐 .

:CN119730266A ,2025-03-28

[10]

功率半导体器件和功率半导体器件的制造方法 [P].

D·卡塞斯 ;

A·科泽尼茨 ;

H·舒尔茨 ;

F·乌姆巴赫 .

中国专利 :CN115706008A ,2023-02-17

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