光刻系统、传感器和测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310250576.9

申请日：

2006-09-14

公开(公告)号：

CN103354201B

公开(公告)日：

2013-10-16

发明(设计)人：

彼得·克勒伊特马尔科·扬·哈科·威兰埃尔温·斯洛特蒂斯·弗兰斯·泰佩恩斯泰恩·威廉·卡雷尔·赫尔曼·斯腾布林克

申请人：

申请人地址：

荷兰代尔夫特

IPC主分类号：

H01J37317

IPC分类号：

H01J37244 B82Y4000

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

张英;刘书芝

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-17	授权	授权
2019-05-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01J 37/317 登记生效日:20190428 变更事项:专利权人变更前权利人:迈普尔平版印刷IP有限公司变更后权利人:ASML荷兰有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰代尔夫特变更后权利人:荷兰维德霍温
2013-10-16	公开	公开
2013-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101539127098 IPC(主分类):H01J 37/317 专利申请号:2013102505769 申请日:20060914

共 50 条

[1]

光刻系统、传感器和测量方法 [P].

彼得·克勒伊特 ;

马尔科·扬·哈科·威兰 ;

埃尔温·斯洛特 ;

蒂斯·弗兰斯·泰佩恩 ;

斯泰恩·威廉·卡雷尔·赫尔曼·斯腾布林克 .

中国专利 :CN101300656B ,2008-11-05

[2]

光学测量方法和传感器设备 [P].

J·M·G·鲁曼 ;

T·F·E·M·欧文瑞斯 ;

W·J·恩格伦 .

中国专利 :CN111699438A ,2020-09-22

[3]

磁传感器系统和用于该磁传感器系统的距离测量方法 [P].

谷川秀之 .

日本专利 :CN118525188A ,2024-08-20

[4]

传感器系统及测量方法 [P].

J·霍洛 ;

H·科尔霍宁 ;

L·乌西维尔塔 ;

M·T·梅凯莱 .

中国专利 :CN108061562B ,2018-05-22

[5]

光刻机能量传感器的性能测量装置和测量方法 [P].

谢承科 ;

陈明 ;

杨宝喜 ;

黄惠杰 .

中国专利 :CN103197511B ,2013-07-10

[6]

传感器模型的生成方法和系统、传感器测量方法和系统 [P].

白新 ;

周晓舟 .

中国专利 :CN113874866A ,2021-12-31

[7]

单片传感器装置、制造方法和测量方法 [P].

弗雷德里克·威廉姆·毛里茨·万海尔蒙特 ;

内博伊沙·内纳多维茨 ;

希尔科·瑟伊 ;

霍曼·哈比比 .

中国专利 :CN111801572A ,2020-10-20

[8]

单片传感器装置、制造方法和测量方法 [P].

弗雷德里克·威廉姆·毛里茨·万海尔蒙特 ;

内博伊沙·内纳多维茨 ;

希尔科·瑟伊 ;

霍曼·哈比比 .

:CN111801572B ,2024-03-01

[9]

测量传感器，测量装置，识别模块，测量方法和校准方法 [P].

迪尔克·拜纳 ;

汤米·文 ;

本松·罗 .

中国专利 :CN111751591A ,2020-10-09

[10]

测量传感器，测量装置，识别模块，测量方法和校准方法 [P].

迪尔克·拜纳 ;

汤米·文 ;

本松·罗 .

中国专利 :CN111751591B ,2024-07-26

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