一种制备一维硒化铋纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610219674.X

申请日：

2016-04-11

公开(公告)号：

CN107287577A

公开(公告)日：

2017-10-24

发明(设计)人：

简基康黄高飞

申请人：

申请人地址：

830046 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市天山区胜利路666号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

B82Y4000 C23C1644

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/30 申请公布日:20171024
2017-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硒化铋（BiSe）纳米线/纳米带及其制备方法 [P].

简基康 ;

禤振扬 .

中国专利 :CN117623236A ,2024-03-01

[2]

一种硒化铋（BiSe）纳米线/纳米带及其制备方法 [P].

简基康 ;

禤振扬 .

中国专利 :CN117623236B ,2025-09-19

[3]

一种在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法 [P].

俞金玲 ;

谷鹏 ;

曾晓琳 ;

程树英 ;

赖云锋 ;

郑巧 ;

周海芳 ;

赵宜升 .

中国专利 :CN108467018A ,2018-08-31

[4]

一种通过控制气体流量在云母衬底上制备硒化铋纳米片的方法 [P].

俞金玲 ;

谷鹏 ;

曾晓琳 ;

程树英 ;

赖云锋 ;

郑巧 ;

周海芳 ;

赵宜升 .

中国专利 :CN108423643A ,2018-08-21

[5]

一维硫硒化镉半导体纳米线的制备方法、纳米线及器件 [P].

戴放 ;

沈吉 ;

刘彬 ;

常维静 ;

徐叔喜 ;

王仕鑫 .

中国专利 :CN112899647A ,2021-06-04

[6]

一种可控垂直硒化铋纳米片薄膜及其制备方法 [P].

王振华 ;

李名泽 ;

张志东 ;

高翾 .

中国专利 :CN108493274A ,2018-09-04

[7]

一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法 [P].

陈飞 ;

姜夏 ;

苏伟涛 .

中国专利 :CN113913940A ,2022-01-11

[8]

一种制备AIN纳米线及其阵列的方法 [P].

胡征 ;

王喜章 ;

吴强 ;

付继江 ;

陈懿 .

中国专利 :CN1241831C ,2003-03-12

[9]

一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用 [P].

何军 ;

曹金利 ;

王振兴 .

中国专利 :CN103482589B ,2014-01-01

[10]

一种碲掺杂的二维硒氧化铋及其制备方法与应用 [P].

郑照强 ;

邱展雄 ;

招瑜 .

中国专利 :CN117089820B ,2025-11-21

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