一种基于PZT的忆阻器件、其制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010742267.3

申请日：

2020-07-29

公开(公告)号：

CN112018236A

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

张缪城秦琦童祎孟宇泰王伊婕

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市雨花台区西春路1号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

陈栋智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	公开	公开
2020-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20200729
2022-07-26	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20201201

共 50 条

[1]

一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法 [P].

秦琦 ;

姚苏昊 ;

张缪城 ;

罗健成 ;

施明旻 ;

童祎 ;

连晓娟 .

中国专利 :CN111129299A ,2020-05-08

[2]

一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用 [P].

李渊 ;

邵解烦 ;

冯昕 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN113594360B ,2024-08-06

[3]

一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用 [P].

陈子洋 ;

秦琦 ;

张缪城 ;

陈星宇 ;

韩翱泽 ;

童祎 .

中国专利 :CN114400283B ,2025-11-25

[4]

一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用 [P].

李渊 ;

邵解烦 ;

冯昕 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN113594360A ,2021-11-02

[5]

一种光子忆阻器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

房雨晴 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN117693286A ,2024-03-12

[6]

忆阻器件及其制备方法 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

李悦 ;

于迪 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103022350A ,2013-04-03

[7]

一种柔性忆阻器件及其制备方法 [P].

韩翱泽 ;

张缪城 ;

秦琦 ;

陈子洋 ;

陈星宇 ;

童祎 .

中国专利 :CN113571636A ,2021-10-29

[8]

基于过渡金属碳化物的忆阻器件及其制备方法 [P].

童祎 ;

高斐 ;

渠开放 ;

沈心怡 ;

郭宇锋 ;

万相 ;

连晓娟 .

中国专利 :CN109962162A ,2019-07-02

[9]

基于二维MXene材料的忆阻器件及其制备方法 [P].

沈心怡 ;

刘鑫伟 ;

高斐 ;

张缪城 ;

童祎 ;

连晓娟 ;

万相 .

中国专利 :CN109920909A ,2019-06-21

[10]

一种基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法 [P].

赵勇 ;

毛双锁 ;

孙柏 ;

付国强 ;

李冰 .

中国专利 :CN109888090B ,2019-06-14

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