一种基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910051937.4

申请日：

2019-01-21

公开(公告)号：

CN109888090B

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

赵勇毛双锁孙柏付国强李冰

申请人：

申请人地址：

610031 四川省成都市金牛区二环路北一段111号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268

代理人：

王伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	授权	授权
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190121
2019-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

忆阻器件及其制备方法 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

李悦 ;

于迪 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103022350A ,2013-04-03

[2]

一种柔性忆阻器件及其制备方法 [P].

韩翱泽 ;

张缪城 ;

秦琦 ;

陈子洋 ;

陈星宇 ;

童祎 .

中国专利 :CN113571636A ,2021-10-29

[3]

一种光子忆阻器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

房雨晴 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN117693286A ,2024-03-12

[4]

一种基于PZT的忆阻器件、其制备方法及其应用 [P].

张缪城 ;

秦琦 ;

童祎 ;

孟宇泰 ;

王伊婕 .

中国专利 :CN112018236A ,2020-12-01

[5]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

许佳雄 ;

徐宇祥 ;

容泽仁 ;

黄文超 ;

邝智东 ;

卢业思 ;

廖茂成 ;

刘振 .

中国专利 :CN119907621A ,2025-04-29

[6]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

许佳雄 ;

徐宇祥 ;

容泽仁 ;

黄文超 ;

邝智东 ;

卢业思 ;

廖茂成 ;

刘振 .

中国专利 :CN119907621B ,2025-10-17

[7]

一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法 [P].

次会聚 ;

陈奕丞 ;

宋宇浩 ;

刘诚 ;

李东阳 ;

李伟 .

中国专利 :CN109065715A ,2018-12-21

[8]

一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法 [P].

宋宇浩 ;

次会聚 ;

陈奕丞 ;

刘诚 ;

李东阳 ;

李伟 .

中国专利 :CN108950507A ,2018-12-07

[9]

一种忆阻器件的制备方法 [P].

孙柏 ;

朱守辉 ;

毛双锁 ;

郑良 ;

夏钰东 ;

赵勇 .

中国专利 :CN108666418A ,2018-10-16

[10]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

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