一种氧化镓忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510164189.6

申请日：

2025-02-14

公开(公告)号：

CN119907621B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

许佳雄徐宇祥容泽仁黄文超邝智东卢业思廖茂成刘振

申请人：

广东工业大学

申请人地址：

510080 广东省广州市越秀区东风东路729号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

翁仪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20250214
2025-10-17	授权	授权
2025-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

许佳雄 ;

徐宇祥 ;

容泽仁 ;

黄文超 ;

邝智东 ;

卢业思 ;

廖茂成 ;

刘振 .

中国专利 :CN119907621A ,2025-04-29

[2]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

张法碧 ;

刘志强 ;

周娟 ;

李海鸥 ;

孙堂友 ;

刘兴鹏 ;

王阳培华 ;

陈赞辉 ;

邓兴 ;

谢仕锋 ;

李跃 ;

杨万里 .

中国专利 :CN120018769A ,2025-05-16

[3]

一种基于非晶氧化镓的光电忆阻器及其制备方法 [P].

祁颂 ;

李山 ;

唐为华 .

中国专利 :CN119947572A ,2025-05-06

[4]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[5]

忆阻器及其制备方法 [P].

何南 ;

堵大为 ;

童祎 .

中国专利 :CN111900249A ,2020-11-06

[6]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

俞景豪 ;

刘晓艳 ;

华传洋 ;

王正 ;

叶鹏飞 ;

王磊 ;

童祎 .

中国专利 :CN113725357A ,2021-11-30

[7]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

宫建茹 ;

王永志 ;

尹彬沣 ;

郭北斗 .

中国专利 :CN111883656A ,2020-11-03

[8]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

赵鸿滨 ;

屠海令 ;

魏峰 ;

张艳 ;

杜军 .

中国专利 :CN104752608A ,2015-07-01

[9]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

宫建茹 ;

王永志 ;

尹彬沣 ;

郭北斗 .

中国专利 :CN111883656B ,2025-01-10

[10]

一种钇掺杂氧化铪忆阻器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

李志豪 ;

吴春扬 ;

王红军 ;

罗道斌 ;

王有庆 ;

杨淑宁 ;

周静 .

中国专利 :CN120435218A ,2025-08-05

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