一种钇掺杂氧化铪忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510564463.9

申请日：

2025-04-30

公开(公告)号：

CN120435218A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

朱媛媛李志豪吴春扬王红军罗道斌王有庆杨淑宁周静

申请人：

陕西科技大学

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

C23C14/08 C23C14/24 C23C14/30 G11C13/00 H10N70/20

代理机构：

北京中巡通大知识产权代理有限公司 11703

代理人：

张晓凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20250430
2025-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种掺钇氧化铪和氧化钒异质光忆阻材料结构的制备方法 [P].

牛临魁 ;

陈志民 ;

刘浩彬 ;

朱昊 ;

陈鑫 ;

黄田田 ;

杨万丽 .

中国专利 :CN117881272A ,2024-04-12

[2]

一种基于非晶氧化钇/氧化铪双层结构的数字型忆阻器及其制备方法和应用 [P].

王红军 ;

王永庆 ;

杨淑宁 ;

朱媛媛 ;

周静 .

中国专利 :CN119136651A ,2024-12-13

[3]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

许佳雄 ;

徐宇祥 ;

容泽仁 ;

黄文超 ;

邝智东 ;

卢业思 ;

廖茂成 ;

刘振 .

中国专利 :CN119907621A ,2025-04-29

[4]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

张法碧 ;

刘志强 ;

周娟 ;

李海鸥 ;

孙堂友 ;

刘兴鹏 ;

王阳培华 ;

陈赞辉 ;

邓兴 ;

谢仕锋 ;

李跃 ;

杨万里 .

中国专利 :CN120018769A ,2025-05-16

[5]

一种氧化镓忆阻器及其制备方法 [P].

许佳雄 ;

徐宇祥 ;

容泽仁 ;

黄文超 ;

邝智东 ;

卢业思 ;

廖茂成 ;

刘振 .

中国专利 :CN119907621B ,2025-10-17

[6]

一种钇掺杂二氧化铪铁电薄膜的制备方法 [P].

周大雨 ;

孙纳纳 ;

徐进 ;

徐军 ;

张昱 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN108441831B ,2018-08-24

[7]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[8]

忆阻器及其制备方法 [P].

何南 ;

堵大为 ;

童祎 .

中国专利 :CN111900249A ,2020-11-06

[9]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

俞景豪 ;

刘晓艳 ;

华传洋 ;

王正 ;

叶鹏飞 ;

王磊 ;

童祎 .

中国专利 :CN113725357A ,2021-11-30

[10]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

宫建茹 ;

王永志 ;

尹彬沣 ;

郭北斗 .

中国专利 :CN111883656A ,2020-11-03

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